【摘要】本實(shí)用新型涉及一種手機(jī)遠(yuǎn)程控制裝置。本實(shí)用新型包括順次連接的接收單元、判別單元、回復(fù)單元和執(zhí)行單元，還有與所述判別單元數(shù)據(jù)庫單元相連，通過所述接收單元接收遠(yuǎn)程控制終端發(fā)來的控制信號，經(jīng)過判別單元判別為合法控制終端 后，通過所述回復(fù)單
【摘要】 一種高取向鈷鋁雙羥基復(fù)合金屬氧化物納米片 薄膜電極材料及其制備方法，屬于薄膜超級電容器電極材料及 其制備技術(shù)領(lǐng)域。該薄膜電極材料是由鈷鋁雙羥基復(fù)合金屬氧 化物的納米片平行于導(dǎo)電基片層層堆積而成，層間有陰離子平 衡電荷。該薄膜電極材料的制備方法是：將甘氨酸插層的鈷鋁 雙羥基復(fù)合金屬氧化物在甲酰胺中進(jìn)行剝層，獲得鈷鋁雙羥基 復(fù)合金屬氧化物納米片溶膠，然后將該溶膠澆注到預(yù)先處理好 的表面帶負(fù)電荷的導(dǎo)電基片上，通過蒸發(fā)溶劑制備出鈷鋁雙羥 基復(fù)合金屬氧化物納米片薄膜。優(yōu)點(diǎn)在于：該薄膜可以用作薄 膜超級電容器的電極材料，比電容高、倍率特性好、電化學(xué)循 環(huán)性能佳。 【專利類型】發(fā)明申請 【申請人】北京化工大學(xué) 【申請人類型】學(xué)校 【申請人地址】100029北京市朝陽區(qū)北三環(huán)東路15號 【申請人地區(qū)】中國 【申請人城市】北京市 【申請人區(qū)縣】朝陽區(qū) 【申請?zhí)枴緾N200610089091.6 【申請日】2006-08-02 【申請年份】2006 【公開公告號】CN1917108A 【公開公告日】2007-02-21 【公開公告年份】2007 【授權(quán)公告號】CN1917108B 【授權(quán)公告日】2010-09-08 【授權(quán)公告年份】2010.0 【IPC分類號】H01G9/042; C01G1/04; C01G51/02; C01F7/00; H01M4/00; H01M14/00; B82B1/00; B82B3/00; B01J19/00; C01G51/00 【發(fā)明人】楊文勝; 王毅; 段雪 【主權(quán)項(xiàng)內(nèi)容】1.一種高取向鈷鋁雙羥基復(fù)合金屬氧化物納米片薄膜電極材料，其特征在于： 由鈷鋁雙羥基復(fù)合金屬氧化物納米片平行于導(dǎo)電基片層層堆積而成，鈷鋁雙羥基復(fù) 合金屬氧化物納米片的化學(xué)組成式為[Co2+ 1-xAl3+ x(OH)2]x+，其中0.20≤x≤0.33；層間 有陰離子平衡電荷。 【當(dāng)前權(quán)利人】北京化工大學(xué) 【當(dāng)前專利權(quán)人地址】北京市朝陽區(qū)北三環(huán)東路15號 【統(tǒng)一社會信用代碼】1210000040000182XD 【被引證次數(shù)】3 【被他引次數(shù)】3.0 【家族引證次數(shù)】1.0 【家族被引證次數(shù)】3
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