【摘要】本實(shí)用新型公開(kāi)了一種自調(diào)節(jié)拐杖，包括腋托、外廓支架、手部支桿。所述的手部支桿與外廓支架上部之間裝有上樓梯長(zhǎng)度縮短調(diào)節(jié)裝置，在外廓支架下部裝有下樓梯長(zhǎng)度伸長(zhǎng)調(diào)節(jié)裝置；兩部分長(zhǎng)度調(diào)節(jié)裝置之間固定連接且相互獨(dú)立。在使用時(shí)分別打開(kāi)相應(yīng)的鎖止
【摘要】 本發(fā)明屬于有機(jī)半導(dǎo)體學(xué)中的微細(xì)加工領(lǐng)域，特別涉及一種結(jié)合壓印技術(shù)制備各向異性有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)管的方法。其步驟如下：1.在導(dǎo)電基底上制備絕緣介質(zhì)層；2.在絕緣介質(zhì)層薄膜表面上沉積生長(zhǎng)第一層有機(jī)半導(dǎo)體薄膜；3.利用模板壓印有機(jī)薄膜，把設(shè)計(jì)的模板圖形轉(zhuǎn)移到第一層有機(jī)薄膜上；4.沉積生長(zhǎng)第二層同質(zhì)有機(jī)物薄膜；5.通過(guò)鏤空的掩模版沉積源漏金屬電極，完成各向異性有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)管的制備。 【專(zhuān)利類(lèi)型】發(fā)明申請(qǐng) 【申請(qǐng)人】中國(guó)科學(xué)院微電子研究所 【申請(qǐng)人類(lèi)型】科研單位 【申請(qǐng)人地址】100029北京市朝陽(yáng)區(qū)北土城西路3號(hào) 【申請(qǐng)人地區(qū)】中國(guó) 【申請(qǐng)人城市】北京市 【申請(qǐng)人區(qū)縣】朝陽(yáng)區(qū) 【申請(qǐng)?zhí)枴緾N200610012052.6 【申請(qǐng)日】2006-05-31 【申請(qǐng)年份】2006 【公開(kāi)公告號(hào)】CN101083302A 【公開(kāi)公告日】2007-12-05 【公開(kāi)公告年份】2007 【授權(quán)公告號(hào)】CN100544053C 【授權(quán)公告日】2009-09-23 【授權(quán)公告年份】2009.0 【IPC分類(lèi)號(hào)】H01L51/40 【發(fā)明人】商立偉; 涂德鈺; 王叢舜; 劉明 【主權(quán)項(xiàng)內(nèi)容】1，一種結(jié)合壓印技術(shù)制備各向異性有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)管的方法，是由一次 絕緣介質(zhì)沉積，兩次有機(jī)半導(dǎo)體薄膜沉積，一次壓印和一次金屬沉積， 獲得各向異性的有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)管，其特征在于，其步驟如下： 步驟1、在導(dǎo)電基底上制備絕緣介質(zhì)層； 步驟2、在絕緣介質(zhì)層薄膜表面上蒸發(fā)沉積第一層有機(jī)半導(dǎo)體薄 膜； 步驟3、利用模板壓印有機(jī)薄膜，把設(shè)計(jì)的模板圖形轉(zhuǎn)移到第一 層有機(jī)薄膜上； 步驟4、在有圖形的第一層有機(jī)薄膜表面上蒸發(fā)沉積生長(zhǎng)第二層 同質(zhì)有機(jī)物薄膜； 步驟5、通過(guò)鏤空的掩模版沉積源漏金屬電極，完成各向異性有 機(jī)場(chǎng)效應(yīng)管的制備。 【當(dāng)前權(quán)利人】中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司; 中國(guó)科學(xué)院微電子研究所 【當(dāng)前專(zhuān)利權(quán)人地址】上海市浦東新區(qū)張江路18號(hào); 北京市朝陽(yáng)區(qū)北土城西路3號(hào)中國(guó)科學(xué)院微電子研究所 【統(tǒng)一社會(huì)信用代碼】12100000400834434U 【被引證次數(shù)】2 【被自引次數(shù)】1.0 【被他引次數(shù)】1.0 【家族引證次數(shù)】4.0 【家族被引證次數(shù)】2
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