【摘要】本發(fā)明提出了一種含苯并噁嗪基團(tuán)的倍半硅氧 烷的制備方法及其組合物。該方法是以含伯胺基苯基倍半硅氧 烷化合物為胺源，與酚、醛進(jìn)行縮合成環(huán)，得到含苯并噁嗪基 團(tuán)的倍半硅氧烷。該類化合物可以與環(huán)氧樹脂、酚醛樹脂、雙 馬來酰亞胺樹脂、氰酸酯
【摘要】 本發(fā)明涉及有機(jī)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域，一種結(jié)合干法刻蝕技術(shù)的制備圖形化襯底高遷移率各向異性有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)管的方法，首先沉積生長(zhǎng)第一層有機(jī)半導(dǎo)體薄膜，然后通過氧氣等離子體干法刻蝕技術(shù)把設(shè)計(jì)好的圖形轉(zhuǎn)移到第一層有機(jī)薄膜表面上，再沉積生長(zhǎng)第二層有機(jī)半導(dǎo)體薄膜。其步驟如下：1.在導(dǎo)電基底上制備絕緣介質(zhì)層；2.在絕緣介質(zhì)層薄膜表面上沉積生長(zhǎng)第一層有機(jī)半導(dǎo)體薄膜；3.利用鏤空模板采用氧氣等離子體干法刻蝕有機(jī)薄膜，把設(shè)計(jì)的模板圖形轉(zhuǎn)移到第一層有機(jī)薄膜上；4.沉積生長(zhǎng)第二層同質(zhì)有機(jī)物薄膜；5.通過鏤空的掩模版沉積源漏金屬電極，完成各向異性有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)管的制備。 【專利類型】發(fā)明申請(qǐng) 【申請(qǐng)人】中國(guó)科學(xué)院微電子研究所 【申請(qǐng)人類型】科研單位 【申請(qǐng)人地址】100029北京市朝陽區(qū)北土城西路3號(hào) 【申請(qǐng)人地區(qū)】中國(guó) 【申請(qǐng)人城市】北京市 【申請(qǐng)人區(qū)縣】朝陽區(qū) 【申請(qǐng)?zhí)枴緾N200610083998.1 【申請(qǐng)日】2006-06-16 【申請(qǐng)年份】2006 【公開公告號(hào)】CN101090148A 【公開公告日】2007-12-19 【公開公告年份】2007 【IPC分類號(hào)】H01L51/40; H01L51/05 【發(fā)明人】王叢舜; 商立偉; 涂德鈺; 劉明 【主權(quán)項(xiàng)內(nèi)容】1，一種結(jié)合干法刻蝕技術(shù)的制備圖形化襯底高遷移率各向異性 有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)管的方法，首先沉積生長(zhǎng)第一層有機(jī)半導(dǎo)體薄膜，然后通過 氧氣等離子體干法刻蝕技術(shù)把設(shè)計(jì)好的圖形轉(zhuǎn)移到第一層有機(jī)薄膜表面 上，再沉積生長(zhǎng)第二層有機(jī)半導(dǎo)體薄膜，由于受到第一層有機(jī)物表面圖 形的誘導(dǎo)，第二層有機(jī)半導(dǎo)體材料會(huì)形成各向異性的薄膜，接著沉積源 ？？漏金屬電極，完成高遷移率各向異性的有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管的制備。 數(shù)據(jù)由整理 【當(dāng)前權(quán)利人】中國(guó)科學(xué)院微電子研究所 【當(dāng)前專利權(quán)人地址】北京市朝陽區(qū)北土城西路3號(hào) 【統(tǒng)一社會(huì)信用代碼】12100000400834434U 【被引證次數(shù)】3 【被他引次數(shù)】3.0 【家族被引證次數(shù)】3
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