【摘要】本發明涉及半導體材料與器件技術領域，特別是半導體InN薄膜材料的制備方法。在襯底上生長完InN薄膜之后，再在上面生長一層易于去除的、熔點和分解溫度都高于InN材料的可在低溫下生長的材料，我們稱這層材料為蓋層；接下來在氮氣和氨氣保護下
【摘要】 本外觀設計包裝罐的頂部是我國清朝格格帽子的頭飾式樣。 【專利類型】外觀設計 【申請人】倪曉蓓 【申請人類型】個人 【申請人地址】100004北京市朝陽區建國門外大街1號國貿大廈西樓1層L124A 【申請人地區】中國 【申請人城市】北京市 【申請人區縣】朝陽區 【申請號】CN200630137657.9 【申請日】2006-08-31 【申請年份】2006 【公開公告號】CN3667817D 【公開公告日】2007-07-11 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN3667817D 【授權公告日】2007-07-11 【授權公告年份】2007.0 【發明人】倪曉蓓 【主權項內容】無 【當前權利人】倪曉蓓 【當前專利權人地址】北京市朝陽區建國門外大街1號國貿大廈西樓1層L124A
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