【專利類型】外觀設計【申請人】樂金電子(中國)研究開發中心有限公司【申請人類型】企業【申請人地址】100022北京市朝陽區建國門外大街乙12號雙子座大廈西塔18層【申請人地區】中國【申請人城市】北京市【申請人區縣】朝陽區【申請號】CN200
【摘要】 一種采用負性電子抗蝕劑制備納米電極的方法。本發明的主要特征是利用電子束光刻(EBL)在各種襯底上獲得間距為納米尺度的一對或一組負性電子抗蝕劑凸立圖形，再用刻蝕工藝制備各種材料的納米電極。其主要步驟包括：在絕緣襯底上生長導電性好的金屬或半導體導電層；涂敷負性電子抗蝕劑；前烘；電子束直寫曝光；顯影；定影；刻蝕；去膠。采用這種方法制備的納米電極的間距可達到20－100nm，可用于制作各種量子點器件、納米線、納米管器件、單電子器件等多種器件或電路。這種方法具有工藝步驟少、簡單、穩定可靠、用途多、能與傳統CMOS工藝兼容的優點。 【專利類型】發明申請 【申請人】中國科學院微電子研究所 【申請人類型】科研單位 【申請人地址】100029北京市朝陽區北土城西路3號 【申請人地區】中國 【申請人城市】北京市 【申請人區縣】朝陽區 【申請號】CN200610003531.1 【申請日】2006-02-09 【申請年份】2006 【公開公告號】CN101017778A 【公開公告日】2007-08-15 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN100435285C 【授權公告日】2008-11-19 【授權公告年份】2008.0 【IPC分類號】H01L21/283; G03F7/00 【發明人】龍世兵; 劉明; 陳寶欽 【主權項內容】1、一種采用負性電子抗蝕劑，利用電子束光刻和刻蝕工藝制備納米 電極的方法，其特征在于，包括如下步驟： (1)在襯底上生長導電層； (2)涂敷負性電子抗蝕劑； (3)對負性電子抗蝕劑進行前烘； (4)對負性電子抗蝕劑進行電子束直寫曝光； (5)顯影； (6)定影； (7)刻蝕，將電極圖形從抗蝕劑上轉移到導電層上； (8)去膠。 【當前權利人】中國科學院微電子研究所 【當前專利權人地址】北京市朝陽區北土城西路3號 【統一社會信用代碼】12100000400834434U 【引證次數】5.0 【被引證次數】11 【他引次數】5.0 【被自引次數】3.0 【被他引次數】8.0 【家族引證次數】7.0 【家族被引證次數】11
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