【摘要】本發明公開了一種可去除殘余硅的體硅MEMS 與CMOS電路集成的方法，其是在原有工藝步驟(6)之后，采 取以下工藝步驟：(7)在硅片正面形成金屬掩模層；(8)光刻定義 出MEMS結構區，用腐蝕液腐蝕金屬層，去除光刻膠；(9)在 硅片
【摘要】 后視圖和仰視圖無設計要點，省略后視圖、仰視圖、左視圖。 【專利類型】外觀設計 【申請人】李萬歷 【申請人類型】個人 【申請人地址】100005北京市東城區建國門內大街8號中糧廣場3層法國之家 【申請人地區】中國 【申請人城市】北京市 【申請人區縣】東城區 【申請號】CN200630014875.3 【申請日】2006-04-25 【申請年份】2006 【公開公告號】CN3629977D 【公開公告日】2007-04-11 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN3629977D 【授權公告日】2007-04-11 【授權公告年份】2007.0 【發明人】李萬歷 【主權項內容】無 【當前權利人】李萬歷 【當前專利權人地址】北京市東城區建國門內大街8號中糧廣場3層法國之家
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