【專利類型】外觀設計【申請人】上海頂新箱包有限公司【申請人類型】企業【申請人地址】201500上海市金山區朱涇鎮亭楓公路3168號【申請人地區】中國【申請人城市】上海市【申請人區縣】金山區【申請號】CN200630041504.4【申請日】
【摘要】 一種廉價多晶硅薄膜太陽電池，結構為背電極/ 襯底/制有P－N結的多晶硅薄膜/柵狀上電極，在電池入射光表 面有氮化硅減反射膜，其特征在于：在襯底和制有P－N結的 多晶硅薄膜之間還有重摻P+層 及阻擋襯底雜質向多晶硅薄膜擴散的 SiO2隔離層；所說的襯底是選用 低品質的多晶硅片，其純度＜4N。本發明的最大優點是：在襯 底和制有P－N結的多晶硅薄膜之間增加了 SiO2隔離層和重摻 P+層，使得低品質的多晶硅片襯 底順利用于太陽電池，大大降低了電池的制作成本，有利于薄 膜太陽電池的產業化，進而有利于低成本光伏發電的實現。 【專利類型】發明申請 【申請人】中國科學院上海技術物理研究所 【申請人類型】科研單位 【申請人地址】200083上海市玉田路500號 【申請人地區】中國 【申請人城市】上海市 【申請人區縣】虹口區 【申請號】CN200610117155.9 【申請日】2006-10-13 【申請年份】2006 【公開公告號】CN1933185A 【公開公告日】2007-03-21 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN100416863C 【授權公告日】2008-09-03 【授權公告年份】2008.0 【發明人】褚君浩; 石剛; 高文秀; 石富文 【主權項內容】1.一種廉價多晶硅薄膜太陽電池，結構為背電極(1)/襯底(2)/制有P-N結的多晶硅薄膜/柵狀上電極(7)，在電池的入射光表面有氮化硅減反射膜(8)， 其特征在于：在襯底(2)和制有P-N結的多晶硅薄膜之間還有重摻P+層(4)和 SiO2隔離層(3)；在SiO2隔離層中開有可使背電極和上電極構成電回路的窗口 (301)；所說的襯底(2)是選用低品質的多晶硅片，其純度＜4N。 【當前權利人】中國科學院上海技術物理研究所 【當前專利權人地址】上海市玉田路500號 【統一社會信用代碼】12100000425005579K 【被引證次數】10 【被自引次數】2.0 【被他引次數】8.0 【家族被引證次數】10
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