【摘要】一種非揮發(fā)性記憶胞包括半導體基底、位于部分 半導體基底中的源極區(qū)、位于部分半導體基底中的汲極區(qū)以及 位于部分半導體基底中的井區(qū)。非揮發(fā)性記憶胞還包括位于半 導體基底上的第一載子穿隧層、位于第一載子穿隧層上的電荷 儲存層、位于電荷儲存
【摘要】 本發(fā)明是有關于一種錨接金屬鑲嵌結構及其形成方法。此錨接金屬鑲嵌結構是包覆于一多重密度介電層中，包含一介電層，且具有一開口延伸貫穿此介電層。此介電層包含至少一相對較高密度部分及一相對較低密度部分。相對較低密度部分形成介電層的一主要連續(xù)部分。貫穿此介電層的開口于相對較低密度部分比相對較高密度部分具有相對擴大的橫向尺寸以形成錨接階梯結構。 【專利類型】發(fā)明申請 【申請人】臺灣積體電路制造股份有限公司 【申請人類型】企業(yè) 【申請人地址】中國臺灣新竹市新竹科學工業(yè)園區(qū)力行六路8號 【申請人地區(qū)】中國 【申請人城市】臺灣省 【申請?zhí)枴緾N200610140077.4 【申請日】2006-10-18 【申請年份】2006 【公開公告號】CN101060108A 【公開公告日】2007-10-24 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN100539113C 【授權公告日】2009-09-09 【授權公告年份】2009.0 【IPC分類號】H01L23/522; H01L23/532 【發(fā)明人】魯定中; 曾鴻輝; 章勛明 【主權項內容】1、一種錨接金屬鑲嵌結構，包覆于一多重密度介電層中，其特征在于： 至少包含： 一介電層，具有一開口貫穿該介電層； 其中該介電層包含至少一相對較高密度部分及一相對較低密度部分， 該相對較低密度部分形成該介電層的一主要連續(xù)部分；以及 其中，該開口位于該相對較低密度部分具有比該相對較高密度部分相 對擴大的一橫向尺寸以形成錨接階梯結構。 【當前權利人】臺灣積體電路制造股份有限公司 【當前專利權人地址】中國臺灣新竹市新竹科學工業(yè)園區(qū)力行六路8號 【被引證次數】6 【被他引次數】6.0 【家族引證次數】39.0 【家族被引證次數】33
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