【摘要】一種新型的食用菌液體種培養器，它是對現行的微生物菌種無雜菌發酵培養器具的改進，重新設計的罐體，主罐和外殼分開，并單獨加熱，密封式活蓋上設有pH值調節閥；加熱、供氣、冷卻、安全裝置和接菌器具等也都更科學、合理、實用。具有結構新穎、工序
【摘要】 一種單閘極的非揮發性內存及其操作方法，此非揮發性內存是在半導體基底內嵌晶體管及電容結構，晶體管包含第一導電閘極、第一介電層與多個第一離子摻雜區，而電容結構則包含第二導電閘極、第二介電層與第二離子摻雜區，且第一導電閘極與第二導電閘極是相互電連接而形成記憶胞的單浮接閘極，此單閘極記憶胞乃可藉由逆向偏壓進行寫入以及相關的抹除及讀取等操作，另外，有隔離井區的操作時，可藉由施加正負電壓于汲極、閘極及硅基底或井區，來產生反層，以降低絕對電壓，減少升壓電路的面積，并達成降低電流消耗的目的。 【專利類型】發明申請 【申請人】億而得微電子股份有限公司 【申請人類型】企業 【申請人地址】臺灣省新竹縣竹北市臺元街28號7樓之2 【申請人地區】中國 【申請人城市】臺灣省 【申請號】CN200610066471.8 【申請日】2006-04-03 【申請年份】2006 【公開公告號】CN101051639A 【公開公告日】2007-10-10 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN100505271C 【授權公告日】2009-06-24 【授權公告年份】2009.0 【發明人】林信章; 黃文謙; 楊明蒼; 張浩誠; 吳政穎 【主權項內容】1.一種單閘極的非揮發性內存，包括： 一半導體基底； 一晶體管，系包含一第一介電層、一第一導電閘極與復數個第一離 子摻雜區，該第一介電層系位于該半導體基底表面，該第一導電閘極系 迭設于該第一介電層上方，該些第一離子摻雜區系位于該第一導電閘極 的兩側分別形成源極及汲極；及 一電容結構，系包含一第二介電層、一第二導電閘極與一第二離子 摻雜區，該第二介電層系位于該半導體基底表面，該第二導電閘極系迭 設于該第二介電層上方，該第二離子摻雜區系位于該第二介電層一側， 且該第一導電閘極與該第二導電閘極系為隔離且為電連接，作為單浮接 閘極。 【當前權利人】億而得微電子股份有限公司 【當前專利權人地址】臺灣省新竹縣竹北市臺元街28號7樓之2 【被引證次數】6 【被他引次數】3.0 【家族被引證次數】6
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