【摘要】本發(fā)明公開一種具有霧化器的主動式環(huán)路型散熱裝置，應(yīng)用在熱源與熱沉間的熱傳導(dǎo)，該具有霧化器的主動式環(huán)路型散熱裝置包括：蒸發(fā)腔體，具有第一容室、設(shè)在該第一容室下方的第二容室及隔開該第一容室與第二容室的霧化器；冷凝腔體，具有接通到該第二容
【摘要】 本發(fā)明在此描述一種制造非易失性半導(dǎo)體存儲 元件的方法，包含不用額外的掩膜來形成子?xùn)艠O。在此存儲元 件的主柵極之上形成金屬硅化物可以提供較低的字線電阻值。 在操作時，施加電壓至子?xùn)艠O可以形成一作為位線的瞬態(tài)反轉(zhuǎn) 層，以消除形成位線所需的離子注入。 【專利類型】發(fā)明申請 【申請人】旺宏電子股份有限公司 【申請人類型】企業(yè) 【申請人地址】中國臺灣新竹科學(xué)工業(yè)園區(qū) 【申請人地區(qū)】中國 【申請人城市】臺灣省 【申請?zhí)枴緾N200610093880.7 【申請日】2006-06-28 【申請年份】2006 【公開公告號】CN1917186A 【公開公告日】2007-02-21 【公開公告年份】2007 【授權(quán)公告號】CN100481396C 【授權(quán)公告日】2009-04-22 【授權(quán)公告年份】2009.0 【IPC分類號】H01L21/8247; H01L21/336; H01L27/115; H01L29/788; H01L21/70; H01L21/02; H01L29/66 【發(fā)明人】何家驊; 施彥豪; 呂函庭; 賴二琨; 謝光宇 【主權(quán)項內(nèi)容】1、一種制造非易失性存儲元件的方法，包含： 提供襯底，其上有電荷捕捉堆疊以及第一多晶硅層； 選擇性地圖案化該電荷捕捉堆疊以及該第一多晶硅層以裸露出 該襯底并形成柵極結(jié)構(gòu)； 形成絕緣層以及第二多晶硅層于裸露出的襯底上； 選擇性地圖案化該第二多晶硅層以形成子?xùn)艠O結(jié)構(gòu)； 形成第三多晶硅層于該柵極結(jié)構(gòu)和該子?xùn)艠O結(jié)構(gòu)上； 形成金屬硅化物層于該第三多晶硅層上；以及 選擇性地圖案化該金屬硅化物層、該第一多晶硅層和該第三多晶 硅層以形成復(fù)數(shù)個字線。 【當前權(quán)利人】旺宏電子股份有限公司 【當前專利權(quán)人地址】中國臺灣新竹科學(xué)工業(yè)園區(qū) 【被引證次數(shù)】3 【被自引次數(shù)】2.0 【被他引次數(shù)】1.0 【家族引證次數(shù)】22.0 【家族被引證次數(shù)】16
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