【摘要】本發明是有關于一種高密度電漿化學氣相沉積 反應器及方法。該高密度電漿化學氣相沉積方法，首先，激發 一氣體混合物，以產生具有復數個離子的電漿，且引導電漿至 一半導體晶圓上的密集區域中。接著，以額外的熱源加熱半導 體晶圓。最后，于半導體
【摘要】 本發明是一種芯片封裝構造及其制造方法。此芯片封裝構造至少包括承載器以及芯片配置于承載器上。承載器至少包括散熱墊、若干個導腳以及至少二支撐條，其中此散熱墊具有一承載面。此外，上述的芯片包括若干個焊球并覆晶接合于承載器的散熱墊、導腳以及支撐條上。 【專利類型】發明申請 【申請人】日月光半導體制造股份有限公司 【申請人類型】企業 【申請人地址】中國臺灣高雄市楠梓加工區經三路26號 【申請人地區】中國 【申請人城市】臺灣省 【申請號】CN200610004809.7 【申請日】2006-01-11 【申請年份】2006 【公開公告號】CN101000901A 【公開公告日】2007-07-18 【公開公告年份】2007 【IPC分類號】H01L23/488; H01L21/60 【發明人】劉千; 王盟仁 【主權項內容】1.一種芯片封裝構造，至少包括一承載器和一芯片；該承載器 至少包括一具有一承載面的散熱墊、若干個導腳以及至少二 支撐條；芯片配置于該承載器上，其中該芯片包含若干個焊 球并覆晶接合于該承載器的該散熱墊和該些導腳上；其特征 在于：芯片的焊球還覆晶結合于支撐條上。。： 【當前權利人】日月光半導體制造股份有限公司 【當前專利權人地址】中國臺灣高雄市楠梓加工區經三路26號 【被引證次數】1 【被他引次數】1.0 【家族被引證次數】1
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