【摘要】一種化學機械拋光的方法,包括先以第一硬拋光墊對晶片進行第一拋光工藝,并使用第一研漿。接著,以第一軟拋光墊與清洗劑對晶片進行緩沖工藝,以緩沖第一拋光工藝的pH值,并通過與第一軟拋光墊的接觸去除至少部分的第一研漿與清洗劑。然后,以第二硬
【專利類型】外觀設計 【申請人】普立爾科技股份有限公司 【申請人類型】企業 【申請人地址】臺灣省臺北市內湖區基湖路32號 【申請人地區】中國 【申請人城市】臺灣省 【申請號】CN200630121093.X 【申請日】2006-07-24 【申請年份】2006 【公開公告號】CN3679986D 【公開公告日】2007-08-15 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN3679986D 【授權公告日】2007-08-15 【授權公告年份】2007.0 【發明人】陳泰全; 方志松 【主權項內容】無 【當前權利人】普立爾科技股份有限公司 【當前專利權人地址】臺灣省臺北市內湖區基湖路32號
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