【摘要】本實用新型涉及一種摩擦式傳動及導引裝置，包 含導引體，該導引體設有至少二列凹陷的溝槽；承座，設有貫 穿兩端面，且相等于導引體上的凹陷溝槽數的凹陷溝槽；滑動 組件，設于所述導引體溝槽與該承座溝槽之間，使所述承座通 過所述滑動組件滑行于
【摘要】 一種化學機械拋光的方法，包括先以第一硬拋光墊對晶片進行第一拋光工藝，并使用第一研漿。接著，以第一軟拋光墊與清洗劑對晶片進行緩沖工藝，以緩沖第一拋光工藝的pH值，并通過與第一軟拋光墊的接觸去除至少部分的第一研漿與清洗劑。然后，以第二硬拋光墊對晶片進行第二拋光工藝，并使用第二研漿。于緩沖工藝后的pH值介于第一研漿的pH值與第二研漿的pH值之間。此方法可以避免酸堿沖擊以及交叉污染的產生，故不會形成顆粒刮傷晶片表面。 【專利類型】發明申請 【申請人】聯華電子股份有限公司 【申請人類型】企業 【申請人地址】中國臺灣新竹科學工業園區 【申請人地區】中國 【申請人城市】臺灣省 【申請號】CN200610081862.7 【申請日】2006-05-17 【申請年份】2006 【公開公告號】CN101073878A 【公開公告日】2007-11-21 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN100578739C 【授權公告日】2010-01-06 【授權公告年份】2010.0 【發明人】李志岳; 楊凱鈞; 莊子儀; 陳建勛; 葉敏豪 【主權項內容】1.一種化學機械拋光的方法，包括： 以第一硬拋光墊對晶片進行第一拋光工藝，該第一拋光工藝使用第一研 漿； 以第一軟拋光墊與清洗劑對該晶片進行緩沖工藝，以緩沖該第一拋光工 藝的pH值，并通過與該第一軟拋光墊的接觸去除至少部分的該第一研漿與 該清洗劑；以及 以第二硬拋光墊對該晶片進行第二拋光工藝，該第二拋光工藝使用第二 研漿，且該緩沖工藝后的pH值介于該第一研漿的pH值與該第二研漿的pH 值之間。 【當前權利人】聯華電子股份有限公司 【當前專利權人地址】中國臺灣新竹科學工業園區 【被引證次數】11 【被他引次數】11.0 【家族被引證次數】11
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