【摘要】本發明提供一種半導體元件及其形成方法。一種 互補型金屬氧化物半導體晶體管的補償間隙壁及其制造方法。 在基板上形成柵極電極,及在該柵極電極和基板上形成一補償 掩膜。該補償掩膜可為一氧化層且在注入時作為一掩膜,如口 袋注入和輕摻雜漏極注
【專利類型】外觀設計 【申請人】黃火土 【申請人類型】個人 【申請人地址】臺灣省臺北縣樹林鎮 【申請人地區】中國 【申請人城市】臺灣省 【申請號】CN200630124139.3 【申請日】2006-08-04 【申請年份】2006 【公開公告號】CN3652929D 【公開公告日】2007-05-30 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN3652929D 【授權公告日】2007-05-30 【授權公告年份】2007.0 【發明人】黃火土 【主權項內容】無 【當前權利人】黃火土 【當前專利權人地址】臺灣省臺北縣樹林鎮
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