【摘要】數個增益級可定義為一種具有快速、精確且低偏 移量的比較器。低增益、低輸入阻抗并且完全差動共同柵極放 大器可以為多級比較器中的第一級，用以提供適用于較小功率 消耗的較大的頻寬。比較器的輸入端可包括差動輸入對，分別 定義為共同柵極放大器
【摘要】 本發明公開了一種晶圓及其切割方法，首先，提供第一基板及第二基板，接著，在第二基板的背面形成數個校準記號，以形成兩參考坐標軸。然后，配對組合第一基板及第二基板而成為晶圓，第二基板的正面是與第一基板的下表面配對組合。之后，切割第一基板以形成數個第一刀痕，再依據兩參考坐標軸切割第二基板，以形成與第一刀痕相對的數個第二刀痕。由于校準記號形成的參考坐標軸代替了傳統整體切割第一基板及第二基板而形成的參考坐標軸，因此，本發明的晶圓及其切割方法簡化了切割晶圓的流程，縮短了切割的時間，并減少刀具的耗損。 【專利類型】發明申請 【申請人】日月光半導體制造股份有限公司 【申請人類型】企業 【申請人地址】中國臺灣高雄市楠梓加工出口區經三路26號 【申請人地區】中國 【申請人城市】臺灣省 【申請號】CN200610002549.X 【申請日】2006-01-06 【申請年份】2006 【公開公告號】CN1994712A 【公開公告日】2007-07-11 【公開公告年份】2007 【IPC分類號】B28D5/00; H01L21/78; H01L21/70 【發明人】陳建宇 【主權項內容】1.一種晶圓的切割方法，其特征在于：所述方法包括以下過程：提供一 第一基板及一第二基板，在所述第二基板的背面形成若干個校準記號，從而 形成兩參考坐標軸；配對組合所述第一基板及第二基板而成為一晶圓，其中 第二基板的正面是與第一基板的下表面配對組合；切割所述第一基板而形成 若干個第一刀痕，并依據所述兩參考坐標軸切割第二基板，而形成與所述第 一刀痕相對應的若干第二刀痕。 【當前權利人】日月光半導體制造股份有限公司 【當前專利權人地址】中國臺灣高雄市楠梓加工出口區經三路26號 【被引證次數】6 【被他引次數】6.0 【家族被引證次數】6
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