【專利類型】外觀設(shè)計【申請人】張傲宇【申請人類型】個人【申請人地址】臺灣省臺北市中山區(qū)明水路537號2樓之1【申請人地區(qū)】中國【申請人城市】臺灣省【申請?zhí)枴緾N200630004636.X【申請日】2006-03-01【申請年份】2006【
【摘要】 本發(fā)明提供一種浸潤式光刻的方法及其處理方 法，包括：提供一光致抗蝕劑層在半導(dǎo)體基底上，以及使用浸 潤式光刻曝光系統(tǒng)曝光該光致抗蝕劑層。該浸潤式光刻曝光系 統(tǒng)在曝光時使用液體，并可在曝光后去除一些但不是全部的液 體；曝光后，使用一處理步驟以中和在浸潤式曝光過程中，一 些不希望的元素擴(kuò)散至光致抗蝕劑層所產(chǎn)生的效應(yīng)；經(jīng)過處理 后，進(jìn)行曝后烤及顯影步驟。本發(fā)明所述浸潤式光刻的方法及 其處理方法，可在光致抗蝕劑上產(chǎn)生想要的圖案并減少缺陷。 微信 【專利類型】發(fā)明申請 【申請人】臺灣積體電路制造股份有限公司 【申請人類型】企業(yè) 【申請人地址】臺灣省新竹科學(xué)工業(yè)園區(qū)新竹市力行六路八號 【申請人地區(qū)】中國 【申請人城市】臺灣省 【申請?zhí)枴緾N200610109531.X 【申請日】2006-08-04 【申請年份】2006 【公開公告號】CN1916766A 【公開公告日】2007-02-21 【公開公告年份】2007 【授權(quán)公告號】CN100461004C 【授權(quán)公告日】2009-02-11 【授權(quán)公告年份】2009.0 【IPC分類號】G03F7/20; H01L21/027; H01L21/02 【發(fā)明人】張慶裕; 游大慶 【主權(quán)項內(nèi)容】1.一種浸潤式光刻的方法，所述浸潤式光刻的方法包括： 提供一光致抗蝕劑層在一半導(dǎo)體基底上； 使用一浸潤式光刻曝光系統(tǒng)曝光該光致抗蝕劑層，該浸潤式 光刻曝光系統(tǒng)在曝光時使用一液體； 在曝光后及曝后烤前對該光致抗蝕劑層進(jìn)行一處理步驟，用 以中和從該液體擴(kuò)散至該光致抗蝕劑層的一捕捉劑； 曝后烤該光致抗蝕劑層；以及 顯影該曝光的光致抗蝕劑層。 【當(dāng)前權(quán)利人】臺灣積體電路制造股份有限公司 【當(dāng)前專利權(quán)人地址】臺灣省新竹科學(xué)工業(yè)園區(qū)新竹市力行六路八號 【家族引證次數(shù)】15.0 【家族被引證次數(shù)】1
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