【摘要】一種氮化鎵系半導(dǎo)體的成長方法，用于提供一個制造固態(tài)半導(dǎo)體發(fā)光裝置所需要的基礎(chǔ)，該成長方法包含下列步驟：提供一塊基材，在該基材上形成多個間隔散布的氮化鎵系材料的島狀凸塊，在上述島狀凸塊上形成一層由氮化鎵系為主的材料所制成的基礎(chǔ)層；借由
【摘要】 本實用新型涉及一種停車柱的可調(diào)式止滑結(jié)構(gòu)，其設(shè)置于停車柱的柱體末端，包括：一固定件，其上連接端開設(shè)有一套孔，底部凸伸設(shè)置有限位卡塊與一凸軸，凸軸底面又設(shè)置有螺孔；一止滑墊塊，其頂端處設(shè)置有限位卡槽以及一貫設(shè)的軸孔，并于其底部設(shè)置有一凹凸紋路的止滑面；一彈簧；一螺栓，其外緣一端刻有螺紋。通過上述設(shè)計，本實用新型讓止滑墊塊可相對固定件下拉后分離旋轉(zhuǎn)，并利用復(fù)位彈簧重新相互卡掣，達到旋轉(zhuǎn)調(diào)整止滑墊塊角度的目的，進而改變止滑墊塊的止滑面角度，以配合實際停車的地形，可大幅提高停車時的止滑效果與穩(wěn)定性。 【專利類型】實用新型 【申請人】陳幸華 【申請人類型】個人 【申請人地址】臺灣省臺中縣大甲鎮(zhèn)光明路29巷9號 【申請人地區(qū)】中國 【申請人城市】臺灣省 【申請?zhí)枴緾N200620113874.9 【申請日】2006-05-18 【申請年份】2006 【公開公告號】CN2913134Y 【公開公告日】2007-06-20 【公開公告年份】2007 【授權(quán)公告號】CN2913134Y 【授權(quán)公告日】2007-06-20 【授權(quán)公告年份】2007.0 【IPC分類號】B62H1/00 【發(fā)明人】陳幸華 【主權(quán)項內(nèi)容】 。1、一種停車柱的可調(diào)式止滑結(jié)構(gòu)，其設(shè)置于停車柱的柱體末端，其特征在于 包括： 一固定件，其上連接端開設(shè)有一套孔，底部凸伸設(shè)置有限位卡塊與一凸軸， 所述凸軸底面又設(shè)置有螺孔； 一止滑墊塊，其頂端處設(shè)置有限位卡槽以及一貫設(shè)的軸孔，并于其底部設(shè)置 有一凹凸紋路的止滑面； 一彈簧； 一螺栓，其外緣一端刻有螺紋。 【當(dāng)前權(quán)利人】陳幸華 【當(dāng)前專利權(quán)人地址】臺灣省臺中縣大甲鎮(zhèn)光明路29巷9號
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