【摘要】本實(shí)用新型是關(guān)于一種晶片置放架，其具有一基 座，基座呈矩形狀且上端延伸出一凸體，凸體上端面設(shè)有多個(gè) 晶片槽用以容置晶片，基座下端面形成有一凹槽，于基座一轉(zhuǎn) 角處形成一定位角，基座周邊形成至少一個(gè)非貫穿之表面凹入 狀的對位槽，對位槽的
【摘要】 本發(fā)明是關(guān)于一種金屬－絕緣－金屬結(jié)構(gòu)的電 容器、半導(dǎo)體裝置及制造方法，所述一種金屬－絕緣－金屬結(jié) 構(gòu)的電容器，包括：一頂金屬板與一底金屬板，其間設(shè)置有一 絕緣物，其中該頂金屬板大體重疊該絕緣物，而該底金屬板具 有未為該頂金屬板與該絕緣物所覆蓋的一露出部；一抗反射涂 層位于該頂金屬板上、該頂金屬板與該絕緣物的側(cè)壁上以及該 底金屬板的露出部上；以及一介電層分隔該抗反射層與該頂金 屬層，該絕緣物與該底金屬板。本發(fā)明位于抗反射涂層下方的 介電層有效地阻絕了位于頂金屬板與底金屬板間的漏電流路 徑，并阻絕了位于金屬－絕緣－金屬電容器與集成電路內(nèi)的其 他元件間的漏電流路徑。因此，其擊穿電壓可因而增加。 【專利類型】發(fā)明申請 【申請人】臺灣積體電路制造股份有限公司 【申請人類型】企業(yè) 【申請人地址】臺灣省新竹科學(xué)工業(yè)園區(qū)新竹市力行六路八號 【申請人地區(qū)】中國 【申請人城市】臺灣省 【申請?zhí)枴緾N200610000914.3 【申請日】2006-01-12 【申請年份】2006 【公開公告號】CN1925154A 【公開公告日】2007-03-07 【公開公告年份】2007 【授權(quán)公告號】CN100428470C 【授權(quán)公告日】2008-10-22 【授權(quán)公告年份】2008.0 【發(fā)明人】梁耀祥 【主權(quán)項(xiàng)內(nèi)容】1.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述半導(dǎo)體裝置包括： 一底金屬板； 一絕緣物，位于該底金屬板上； 一頂金屬板，位于該絕緣物上； 一介電層，位于該頂金屬板以及至少該頂金屬板與該絕緣物 的側(cè)壁上；以及 一抗反射涂層，位于該介電層上。 【當(dāng)前權(quán)利人】臺灣積體電路制造股份有限公司 【當(dāng)前專利權(quán)人地址】臺灣省新竹科學(xué)工業(yè)園區(qū)新竹市力行六路八號 【被引證次數(shù)】TRUE 【家族被引證次數(shù)】TRUE
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