【摘要】一種集成電路結(jié)構(gòu)設(shè)置于基底上，此集成電路包括邏輯區(qū)，以及存儲(chǔ)單元區(qū)。此存儲(chǔ)單元區(qū)包括儲(chǔ)存電荷區(qū)和非儲(chǔ)存電荷區(qū)，而在儲(chǔ)存電荷區(qū)的基底上具有一絕緣層，而絕緣層上方則具有一晶閘管，而非儲(chǔ)存電荷區(qū)則具有一晶體管位于基底上?！緦＠愋汀堪l(fā)明申
【摘要】 一種溝渠式電容器的制造方法，是先利用位于襯底上的圖案化的掩模層進(jìn)行圖案化工藝，以于襯底中形成多個(gè)溝渠。然后，于各溝渠表面的襯底中形成下電極。接著，移除部分圖案化的掩模層，以暴露出各溝渠頂部兩側(cè)的部分襯底。然后，于襯底上與各溝渠表面形成電容介電層。隨后，于襯底上方形成導(dǎo)電層，導(dǎo)電層至少填滿各溝渠，且覆蓋電容介電層。接著，移除圖案化的掩模層與部分導(dǎo)體層，且保留覆蓋電容介電層的部分導(dǎo)體層，以形成上電極。 【專利類型】發(fā)明申請(qǐng) 【申請(qǐng)人】聯(lián)華電子股份有限公司 【申請(qǐng)人類型】企業(yè) 【申請(qǐng)人地址】中國臺(tái)灣新竹科學(xué)工業(yè)園區(qū) 【申請(qǐng)人地區(qū)】中國 【申請(qǐng)人城市】臺(tái)灣省 【申請(qǐng)?zhí)枴緾N200610074028.5 【申請(qǐng)日】2006-04-04 【申請(qǐng)年份】2006 【公開公告號(hào)】CN101051605A 【公開公告日】2007-10-10 【公開公告年份】2007 【授權(quán)公告號(hào)】CN100490057C 【授權(quán)公告日】2009-05-20 【授權(quán)公告年份】2009.0 【發(fā)明人】李瑞池 【主權(quán)項(xiàng)內(nèi)容】1.一種溝渠式電容器的制造方法，包括： 利用位于一襯底上的一圖案化的掩模層進(jìn)行一圖案化工藝，以于該襯 底中形成多個(gè)溝渠； 于各該些溝渠表面的該襯底中形成一下電極； 移除部分該圖案化的掩模層，以暴露出各該些溝渠頂部兩側(cè)的部分該 襯底； 于該襯底上與各該些溝渠表面形成一電容介電層； 于該襯底上方形成一導(dǎo)電層，該導(dǎo)電層至少填滿各該些溝渠，且覆蓋 該電容介電層；以及 移除該圖案化的掩模層與部分該導(dǎo)體層，且保留覆蓋該電容介電層的 部分該導(dǎo)體層，以形成一上電極。。： 【當(dāng)前權(quán)利人】聯(lián)華電子股份有限公司 【當(dāng)前專利權(quán)人地址】中國臺(tái)灣新竹科學(xué)工業(yè)園區(qū)
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