【摘要】本發明提供一種半導體結構、電熔線及其形成方法，該半導體結構包括介電層，位于淺溝槽隔離區上，以及接觸栓塞，由該介電層表面延伸到該淺溝槽隔離區，其中該接觸栓塞包括中間區，該中間區實質上比兩個末端區狹窄。該接觸栓塞形成熔線組件，該半導體結
【摘要】 ： 本發明提供一種適用于放大輸入信號的射頻放大器電路及其操作方法。所述放大器電路包括：具有功率晶體管的放大晶體管電路以及直流偏壓電路，其中上述直流偏壓電路具有復數個電流鏡電路以及放電晶體管，其中上述放電晶體管以及上述功率晶體管是形成用以控制上述功率晶體管中靜態電流的組合電流鏡電路。本發明的偏壓電路可作為串聯電流鏡、傳統電流鏡或是上述兩者的組合，因此，本發明具有適用于特定設計需求的彈性。 【專利類型】發明申請 【申請人】聯發科技股份有限公司 【申請人類型】企業 【申請人地址】臺灣省新竹科學工業園區 【申請人地區】中國 【申請人城市】臺灣省 【申請號】CN200610169487.1 【申請日】2006-12-15 【申請年份】2006 【公開公告號】CN1983802A 【公開公告日】2007-06-20 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN100555844C 【授權公告日】2009-10-28 【授權公告年份】2009.0 【IPC分類號】H03F3/20; H03F3/21; H03F3/195; H03F3/72; H03K17/90 【發明人】羅時峰; 范一平; 李虹宇; 趙介元 【主權項內容】1.一種放大器電路，適用于放大一輸入信號，其特征在于，該放大器電 路包括： 一放大晶體管電路，具有一功率晶體管；以及 一直流偏壓電路，具有復數個電流鏡電路以及一放電晶體管，其中上述 放電晶體管以及上述功率晶體管形成一組合電流鏡。 【當前權利人】聯發科技股份有限公司 【當前專利權人地址】臺灣省新竹科學工業園區 【被引證次數】5 【被他引次數】5.0 【家族引證次數】12.0 【家族被引證次數】57
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