【摘要】本發(fā)明公開一種散熱控制系統(tǒng)及方法，依據(jù)至少一溫度感應器測量的溫度值對至少一散熱設備的運作狀態(tài)進行控制，該散熱控制系統(tǒng)包括：關聯(lián)模塊、擷取模塊、查詢模塊、計算模塊以及控制模塊。該散熱控制方法包括下述步驟：生成相應的關聯(lián)控制表；計算各溫
【摘要】 本發(fā)明提供一種半導體結構、電熔線及其形成方法，該半導體結構包括介電層，位于淺溝槽隔離區(qū)上，以及接觸栓塞，由該介電層表面延伸到該淺溝槽隔離區(qū)，其中該接觸栓塞包括中間區(qū)，該中間區(qū)實質上比兩個末端區(qū)狹窄。該接觸栓塞形成熔線組件，該半導體結構還包括兩個金屬線位于在該介電層上，其中兩個金屬線分別連接到該接觸栓塞不同的末端區(qū)。本發(fā)明的熔線元件及其連接的金屬線為金屬對金屬的接觸，其可改善接觸并減少接觸阻抗，在接觸區(qū)域較少發(fā)生燒壞現(xiàn)象，所以程序化電壓及程序化時間較易控制；本發(fā)明的半導體結構可隨著集成電路尺寸及操作電壓的減小而縮小，并且完全與現(xiàn)行的集成電路工藝兼容，在本發(fā)明中可使用與其它半導體元件相同的掩膜。 -官網(wǎng) 【專利類型】發(fā)明申請 【申請人】臺灣積體電路制造股份有限公司 【申請人類型】企業(yè) 【申請人地址】中國臺灣新竹市 【申請人地區(qū)】中國 【申請人城市】臺灣省 【申請?zhí)枴緾N200610105783.5 【申請日】2006-07-25 【申請年份】2006 【公開公告號】CN1992255A 【公開公告日】2007-07-04 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN1992255B 【授權公告日】2010-08-25 【授權公告年份】2010.0 【IPC分類號】H01L23/522; H01L23/525; H01L21/768 【發(fā)明人】陳學忠; 蔡豪益; 陳憲偉; 鄭心圃; 侯上勇 【主權項內容】1.一種半導體結構，包含： 淺溝槽隔離區(qū)； 第一介電層，位于該淺溝槽隔離區(qū)上； 接觸栓塞，由該第一介電層表面延伸到該淺溝槽隔離區(qū)，其中該接觸栓 塞包括中間區(qū)以及兩個末端區(qū)，該中間區(qū)實質上比該兩個末端區(qū)狹窄；以及 兩個金屬線，位于第二介電層中，該第二介電層位于該第一介電層上， 其中該兩個金屬線分別連接到該接觸栓塞的兩個末端區(qū)。 【當前權利人】臺灣積體電路制造股份有限公司 【當前專利權人地址】中國臺灣新竹市 【被引證次數(shù)】15 【被自引次數(shù)】9.0 【被他引次數(shù)】6.0 【家族引證次數(shù)】13.0 【家族被引證次數(shù)】49
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