【摘要】本實用新型公開一種理線裝置，適用于一電子裝置，該電子裝置具有一本體、一插頭，及一連接該本體與該插頭以形成電連接的電線，該理線裝置包含一結合單元與一收納單元。該結合單元是與該電子裝置的本體組固在一起。該收納單元，包括一連設于該結合單元
【摘要】 一種磁性存儲單元結構，適用于雙態模式存取操作的一磁性存儲裝置，包括一磁性固定迭層，做為一基層結構的一部分，其中該磁性固定迭層包括一上固定層與一下固定層。又，該上固定層與該下固定層之間有足夠大的一磁性耦合力，使該上固定層的一磁化向量(magnetization)被固定維持在一參考方向。一隧道勢壘層位于該磁性固定迭層 之上。一磁性自由迭層，位于該隧道勢壘層之上。其中該磁性自由迭層包括一下自由層有一下磁化向量，以及一上自由層有一上磁化向量。當在不施加一操作磁場下，該下磁化向量與該上磁化向量為相互反平行，但是垂直于該上固定層的該參考方向。又在上自由層上可以設置一磁性偏壓層。 【專利類型】發明申請 【申請人】財團法人工業技術研究院 【申請人類型】科研單位 【申請人地址】中國臺灣新竹縣 【申請人地區】中國 【申請人城市】臺灣省 【申請號】CN200610084560.5 【申請日】2006-05-25 【申請年份】2006 【公開公告號】CN101079314A 【公開公告日】2007-11-28 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN100585729C 【授權公告日】2010-01-27 【授權公告年份】2010.0 【IPC分類號】G11C11/15; G11C11/02 【發明人】洪建中; 陳永祥; 高明哲; 李元仁; 王泳弘 【主權項內容】1.一種磁性存儲單元結構，包括： 一磁性固定迭層，包括一上固定層與一下固定層，且上述上固定層與上 述下固定層之間有足夠大的一磁性耦合力，使上述上固定層的一磁化向量被 固定維持在一參考方向； 一隧道勢壘層，位于上述磁性固定迭層之上；以及 一磁性自由迭層，位于上述隧道勢壘層之上，其中上述磁性自由迭層包 括一下自由層有一下磁化向量，以及一上自由層有一上磁化向量， 其中在不施加一操作磁場下，上述下磁化向量與上述上磁化向量為相互 反平行，但是垂直于上述上固定層的上述參考方向。。 【當前權利人】財團法人工業技術研究院 【當前專利權人地址】中國臺灣新竹縣 【引證次數】1.0 【被引證次數】5 【他引次數】1.0 【被他引次數】5.0 【家族引證次數】4.0 【家族被引證次數】5
未經允許不得轉載：http://m.mhvdw.cn/1776829023.html
喜歡就贊一下
