【摘要】本發明是一種防水按鍵，其包括：一上彈性層，其是由高分子材料制成的片體，其上表面突設至少一帽鍵體，且各帽鍵體頂面內壁接裝有一導電體；一下彈性層，亦由高分子材料制成的片體；一薄膜電路板，為可撓曲的電路板，其對應各帽鍵體設有印刷的導電接觸
【摘要】 一種非易失性存儲器(NVM)單元，包含一硅襯底 含有一主要表面，一位于該硅襯底中的一部分的源極區域，一 位于該硅襯底中的一部分的漏極區域，以及一位于該硅襯底中 的一部分并介于該源極和該漏極區域之間的阱區(well region)。 該單元包含一形成于該襯底的該主要表面上的底部氧化層。該 底部氧化層位于接近該阱區的該主要表面上。該單元包含一位 于該底部氧化層之上的電荷儲存層，一位于該電荷儲存層之上 的介電隧穿層，且一形成于該介電隧穿層之上的控制柵極。該 介電隧穿層包含一第一氧化層，一氮化層和一第二氧化層。該 非易失性存儲器(NVM)單元的擦除，包含施加一正柵極電壓使 空穴自該柵極注入。 【專利類型】發明申請 【申請人】旺宏電子股份有限公司 【申請人類型】企業 【申請人地址】中國臺灣新竹科學工業園區 【申請人地區】中國 【申請人城市】臺灣省 【申請號】CN200610093746.7 【申請日】2006-06-16 【申請年份】2006 【公開公告號】CN1909251A 【公開公告日】2007-02-07 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN100481517C 【授權公告日】2009-04-22 【授權公告年份】2009.0 【IPC分類號】H01L29/792; H01L27/115; G11C16/02; H01L29/66 【發明人】呂函庭; 賴二琨 【主權項內容】1、一種非易失性存儲單元，包含： 一有著一主要表面的硅襯底； 一位于該硅襯底中接近該主要表面的一部分的源極區域； 一位于該硅襯底中接近該主要表面的一部分的漏極區域，且該漏 極區域與該源極區域隔離； 一位于該硅襯底中接近該主要表面的一部分的阱區，并且其介于 該源極區域和該漏極區域之間； 一形成于該硅襯底的該主要表面上的底部氧化層，該底部氧化層 位于該主要表面上接近該阱區的一部分； 一位于對應該硅襯底的該主要表面的該底部氧化層上方的電荷 儲存層； 一位于對應該硅襯底的該主要表面的該電荷儲存層之上的介電 隧穿層，以對應該硅襯底的該主要表面向外延伸的順序，該介電隧穿 層包含一第一介電氧化層，一介電氮化層，和一第二介電氧化層；以 及 一位于對應該硅襯底的該主要表面的該介電隧穿層之上的控制 柵極。 【當前權利人】旺宏電子股份有限公司 【當前專利權人地址】中國臺灣新竹科學工業園區 【引證次數】1.0 【被引證次數】7 【他引次數】1.0 【被自引次數】3.0 【被他引次數】4.0 【家族引證次數】47.0 【家族被引證次數】203
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