【摘要】本實用新型是一種側(cè)板散熱器，是包括有基座體、導(dǎo)熱體、散熱體及組裝元件，借組裝元件貫穿基座體、導(dǎo)熱體及散熱體使其三者結(jié)合為一，不需要任何扣具即可讓導(dǎo)熱體迫緊于電子元件，并結(jié)合所有元件，因此組裝上十分方便，又可因零件的減少而降低成本。。
【摘要】 本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法，該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，包括：形成具有開口的第一介電層于基板上。改質(zhì)開口所露出的第一介電層表面后，沿著改質(zhì)部分形成保護介電層。接著將開口填滿導(dǎo)電材料，并將改質(zhì)部分移除以形成氣隙。氣隙位于保護介電層與保留的第一介電層之間。本發(fā)明所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法提升了元件及封裝的可靠度，在使用同樣的ILD材料下降低了內(nèi)連線之間的電容。所有的ILD薄膜維持原有的強度，使元件及封裝維持一樣的可靠度。 【專利類型】發(fā)明申請 【申請人】臺灣積體電路制造股份有限公司 【申請人類型】企業(yè) 【申請人地址】中國臺灣新竹科學(xué)工業(yè)園區(qū)新竹市力行六路八號 【申請人地區(qū)】中國 【申請人城市】臺灣省 【申請?zhí)枴緾N200610111820.3 【申請日】2006-08-23 【申請年份】2006 【公開公告號】CN101009266A 【公開公告日】2007-08-01 【公開公告年份】2007 【授權(quán)公告號】CN100463164C 【授權(quán)公告日】2009-02-18 【授權(quán)公告年份】2009.0 【IPC分類號】H01L23/522; H01L21/768 【發(fā)明人】鄭心圃 【主權(quán)項內(nèi)容】1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括： 一半導(dǎo)體基板； 一第一介電層，位于該基板上； 一導(dǎo)電圖案，位于該第一介電層中，且具有一側(cè)壁；以及 一保護介電層，位于該導(dǎo)電圖案的側(cè)壁； 其中該第一介電層具有一氣隙，該氣隙位于該保護介電層與 該第一介電層之間。 【當(dāng)前權(quán)利人】臺灣積體電路制造股份有限公司 【當(dāng)前專利權(quán)人地址】中國臺灣新竹科學(xué)工業(yè)園區(qū)新竹市力行六路八號 【引證次數(shù)】1.0 【被引證次數(shù)】24 【他引次數(shù)】1.0 【被自引次數(shù)】4.0 【被他引次數(shù)】20.0 【家族引證次數(shù)】18.0 【家族被引證次數(shù)】130
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