【摘要】一種半導體架構,包括具有第一裝置區以及第二 裝置區的半導體基底。柵極層橫跨于半導體基底上的第一裝置 區以及第二裝置區,橫跨第一裝置區的柵極層的第一部與具有 第一型態的雜質執行摻雜,而橫跨于第二裝置區的柵極層的第 二部與具有第二型態的
【專利類型】外觀設計 【申請人】日新設計股份有限公司 【申請人類型】企業 【申請人地址】臺灣省臺北市 【申請人地區】中國 【申請人城市】臺灣省 【申請號】CN200630135519.7 【申請日】2006-09-11 【申請年份】2006 【公開公告號】CN3656334D 【公開公告日】2007-06-13 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN3656334D 【授權公告日】2007-06-13 【授權公告年份】2007.0 【發明人】郭志賢 【主權項內容】無 【當前權利人】日新設計股份有限公司 【當前專利權人地址】臺灣省臺北市
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