【摘要】本發(fā)明公開一種狀態(tài)提示系統(tǒng)及方法，將電子通訊裝置使用者的使用狀態(tài)提示給與該電子通訊裝置進行通訊的通訊者，該狀態(tài)提示系統(tǒng)包括：關(guān)聯(lián)模塊、接收模塊、解析模塊、儲存模塊以及執(zhí)行模塊。本發(fā)明在手機使用者不便接聽電話或閱讀短信時，將一特定格式
【摘要】 一種非揮發(fā)性記憶體的制造方法，首先于基底上依序形成介電層、第一導(dǎo)體層及罩幕層。圖案化罩幕層、第一導(dǎo)體層及介電層，以形成浮置閘極與多個開口。然后，于開口的側(cè)壁上形成間隙壁。于各開口下方的基底中形成源極/汲極區(qū)。進行熱氧化制程氧化各開口所暴露的基底，以于源極/汲極區(qū)上方形成一層絕緣層。之后，移除罩幕層，并形成一閘間介電層覆蓋于第一導(dǎo)體層的表面及絕緣層的表面。接著，于閘間介電層上形成一層第二導(dǎo)體層。 【專利類型】發(fā)明申請 【申請人】旺宏電子股份有限公司 【申請人類型】企業(yè) 【申請人地址】中國臺灣新竹 【申請人地區(qū)】中國 【申請人城市】臺灣省 【申請?zhí)枴緾N200610080431.9 【申請日】2006-05-15 【申請年份】2006 【公開公告號】CN101075561A 【公開公告日】2007-11-21 【公開公告年份】2007 【授權(quán)公告號】CN100472738C 【授權(quán)公告日】2009-03-25 【授權(quán)公告年份】2009.0 【發(fā)明人】林新富; 吳俊沛 【主權(quán)項內(nèi)容】1.一種非揮發(fā)性記憶體的制造方法，其特征在于其包括以下步驟： 于一基底上依序形成一第一介電層、一第一導(dǎo)體層及一罩幕層； 移除部分該罩幕層、部分該第一導(dǎo)體層及部分該第一介電層，以形成 多個開口； 于該些開口的側(cè)壁上形成間隙壁； 于各開口下方的該基底中形成一源極/汲極區(qū)； 進行一熱氧化制程氧化各開口所暴露的該基底，以于該源極/汲極區(qū)上 方形成一絕緣層； 移除該罩幕層； 形成一閘間介電層覆蓋于該第一導(dǎo)體層的表面及該絕緣層的表面；以 及 于該閘間介電層上形成一第二導(dǎo)體層。 【當前權(quán)利人】旺宏電子股份有限公司 【當前專利權(quán)人地址】中國臺灣新竹
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