【摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種電解電容器鋁殼體絕緣膜的 涂覆方法，該方法包括：以氣體離子撞擊特氟隆聚四氟乙烯 (polytetra fluoroethylene)，撞擊出氟原子，其同時(shí)氧化生成“氧 化氟”，氧化氟在高溫作用下即會(huì)產(chǎn)生強(qiáng)力粘著性，并
【摘要】 本發(fā)明公開(kāi)了一種晶圓級(jí)散熱結(jié)構(gòu)的制作方法及應(yīng)用此方法得到的芯片封裝結(jié)構(gòu)，該制作方法是在晶圓尚未切割前，即在晶圓背面利用干式蝕刻等方式形成盲孔，之后再形成一金屬層覆蓋整個(gè)晶圓背面以及盲孔的表面，這樣即可在晶圓本體上形成散熱結(jié)構(gòu)，并且在進(jìn)行切割步驟后，所形成的每一單個(gè)芯片均具有散熱結(jié)構(gòu)。因此，本發(fā)明使得芯片上無(wú)須設(shè)置額外的散熱片也可達(dá)到良好的散熱效果，從而節(jié)省封裝制程的成本，減輕整個(gè)芯片封裝結(jié)構(gòu)的厚度及重量。 【專利類型】發(fā)明申請(qǐng) 【申請(qǐng)人】日月光半導(dǎo)體制造股份有限公司 【申請(qǐng)人類型】企業(yè) 【申請(qǐng)人地址】中國(guó)臺(tái)灣高雄市楠梓加工區(qū)經(jīng)三路26號(hào) 【申請(qǐng)人地區(qū)】中國(guó) 【申請(qǐng)人城市】臺(tái)灣省 【申請(qǐng)?zhí)枴緾N200610004814.8 【申請(qǐng)日】2006-01-11 【申請(qǐng)年份】2006 【公開(kāi)公告號(hào)】CN101000861A 【公開(kāi)公告日】2007-07-18 【公開(kāi)公告年份】2007 【授權(quán)公告號(hào)】CN100501913C 【授權(quán)公告日】2009-06-17 【授權(quán)公告年份】2009.0 【IPC分類號(hào)】H01L21/00; H01L23/36; H01L23/488 【發(fā)明人】蕭偉民; 楊國(guó)賓 【主權(quán)項(xiàng)內(nèi)容】1.一種晶圓級(jí)散熱結(jié)構(gòu)的制作方法，包括如下過(guò)程：首先，提供一晶圓， 該晶圓具有一主動(dòng)面與一背面，并且在主動(dòng)面上形成有若干個(gè)焊墊；其特征 在于：其次，在該背面形成若干個(gè)盲孔，且其中的數(shù)個(gè)盲孔中暴露出部分焊 墊；其后，形成一導(dǎo)熱層覆蓋在晶圓的背面、盲孔的表面以及暴露出的部分 焊墊表面。 【當(dāng)前權(quán)利人】日月光半導(dǎo)體制造股份有限公司 【當(dāng)前專利權(quán)人地址】中國(guó)臺(tái)灣高雄市楠梓加工區(qū)經(jīng)三路26號(hào) 【被引證次數(shù)】12 【被自引次數(shù)】2.0 【被他引次數(shù)】10.0 【家族引證次數(shù)】3.0 【家族被引證次數(shù)】12
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