【摘要】本發(fā)明提供一種鏡頭模塊及其制造方法。該鏡頭模塊包括一鏡片組、一固定座以及一感測模塊。該固定座包括：一殼體，該鏡片組設置在該殼體中，且該殼體上具有一開孔以允許外部光線射入該鏡片組；以及一基部，其中該殼體與該基部一體成型；其中該感測模塊
【摘要】 一種硫?qū)僭鼗锎鎯ζ鲉卧码姌O、硫 屬元素化物層及上電極。所述下電極包含錐形洞。硫?qū)僭鼗?物層在下電極的錐形洞中形成。硫?qū)僭鼗飳拥囊贿吪c下電 極相鄰。上電極在硫?qū)僭鼗飳铀纬傻牡诙粗行纬桑?得上電極基本上填充第二洞。上電極與硫?qū)僭鼗飳拥牧硪?邊相鄰。通過使電流通過上電極及下電極來儲存及取出資料。 通過非等向性蝕刻或通過側(cè)壁應用以形成下電極中的錐形洞。 使用額外的介電層或通過使用額外導電層與下所述電極形成p －n接面，以縮小電流流過的截面積。 【專利類型】發(fā)明申請 【申請人】旺宏電子股份有限公司 【申請人類型】企業(yè) 【申請人地址】中國臺灣 【申請人地區(qū)】中國 【申請人城市】臺灣省 【申請?zhí)枴緾N200610101109.X 【申請日】2006-07-03 【申請年份】2006 【公開公告號】CN1921169A 【公開公告日】2007-02-28 【公開公告年份】2007 【授權(quán)公告號】CN100481554C 【授權(quán)公告日】2009-04-22 【授權(quán)公告年份】2009.0 【發(fā)明人】薛銘祥 【主權(quán)項內(nèi)容】1.一種硫?qū)僭鼗锏拇鎯ζ鲉卧浒?包含錐形洞的低電極，該錐形洞逐漸收斂至基本上單點的側(cè)壁； 硫?qū)僭鼗飳樱谒龅碗姌O的錐形洞中形成，且所述硫?qū)僭?素化物層的第一邊與低電極相鄰；以及 高電極，在所述硫?qū)僭鼗飳铀纬傻牡诙粗行纬桑沟迷?高電極基本上填充所述的第二洞，且所述高電極與硫?qū)僭鼗飳拥?第二邊相鄰。 【當前權(quán)利人】旺宏電子股份有限公司 【當前專利權(quán)人地址】中國臺灣 【家族被引證次數(shù)】TRUE
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