【摘要】一種多晶硅層的制造方法，其包括下列步驟：首先，提供一基板，并在基板上形成一非晶硅層。在非晶硅層上形成一圖案化金屬層。然后，進行一脈沖模式快速升溫退火處理制程，以在圖案化金屬層與非晶硅層之間形成一金屬硅化物，且圖案化金屬層與金屬硅化物
【摘要】 本發明提供一種非易失性浮置柵極存儲單元及其制造方法。上述非易失性浮置柵極存儲單元包括具有第一導電型的半導體襯底；位于半導體襯底上的第一區域，具有相異于該第一導電型的第二導電型；位于半導體襯底上具有第二導電型的第二區域，與第一區域隔離；溝道區，連接第一區域與第二區域，做為電荷溝道；設置于溝道區上的介電層；設置于介電層上的控制柵極；設置于半導體襯底與控制柵極上的隧穿介電層；以及在隧穿介電層上的兩個電荷儲存點，彼此相隔離且位于控制柵極的側壁相對的側端上。本發明的二元非易失性存儲器元件，由于兩個多晶硅電荷儲存點的距離可隨控制柵極的寬度而跟著微縮，使得工藝的精度得以提升。 【專利類型】發明申請 【申請人】臺灣積體電路制造股份有限公司 【申請人類型】企業 【申請人地址】中國臺灣新竹市 【申請人地區】中國 【申請人城市】臺灣省 【申請號】CN200610121422.X 【申請日】2006-08-22 【申請年份】2006 【公開公告號】CN1988179A 【公開公告日】2007-06-27 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN1988179B 【授權公告日】2012-05-30 【授權公告年份】2012.0 【IPC分類號】H01L29/788; H01L29/423; H01L27/115; H01L21/336; H01L21/28; H01L21/8247 【發明人】李自強; 楊富量; 黃俊仁; 李宗霖 【主權項內容】1.一種非易失性浮置柵極存儲單元，包括： 具有一第一導電型的半導體襯底； 第一區域，位于該半導體襯底上，具有相異于該第一導電型的第二導電 型； 具有該第二導電型的第二區域，位于該半導體襯底上，且與該第一區域 隔離； 溝道區，連接該第一區域與該第二區域，做為電荷溝道； 介電層，設置于該溝道區上； 控制柵極，設置于該介電層上； 隧穿介電層，設置于該半導體襯底與該控制柵極上；以及 兩個電荷儲存點，設置于該隧穿介電層上，彼此相隔離且位于該控制柵 極的側壁相對端。 ： 【當前權利人】臺灣積體電路制造股份有限公司 【當前專利權人地址】中國臺灣新竹市 【引證次數】1.0 【被引證次數】7 【他引次數】1.0 【被自引次數】2.0 【被他引次數】5.0 【家族引證次數】10.0 【家族被引證次數】9
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