【摘要】本發明公開了一種使用無定形碳薄膜的應變增強半導體器件及其制造方法。該半導體器件包括：一半導體襯底，具有一PMOS區域和一NMOS區域；一第一柵極結構和一第二柵極結構；一源極漏極；一硅化區；一具有張應力的無定形碳薄膜；以及一介電層。無
【摘要】 一種改進的吸盤構造，包含一吸盤本體，其軸向設有一具預定厚層的定位基部，該定位基部的正向端面一體延伸設成一碟形的吸盤部，該吸盤部中心具有供空氣壓縮的一內凹空間，供端軸空氣壓縮而真空吸附于一光滑物表；其中該定位基部是供一所需物品的定位連結，其軸向內部凹設一收容槽，該收容槽內部嵌設一磁吸體，借以使該定位基部產生軸向磁力吸引；據此，完成所需物品在金屬與非金屬等不同物表上的快速地定位操作。 【專利類型】實用新型 【申請人】林必盛 【申請人類型】個人 【申請人地址】中國臺灣 【申請人地區】中國 【申請人城市】臺灣省 【申請號】CN200620124054.X 【申請日】2006-07-18 【申請年份】2006 【公開公告號】CN200943636Y 【公開公告日】2007-09-05 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN200943636Y 【授權公告日】2007-09-05 【授權公告年份】2007.0 【發明人】林必盛 【主權項內容】1.一種改進的吸盤構造，包含一吸盤本體，其特征在于，該吸盤本 體軸向設有一具預定厚層的定位基部，該定位基部的正向端面一體延伸 設成一碟形的吸盤部，該吸盤部中心具有供空氣壓縮的一內凹空間，供 端軸空氣壓縮而真空吸附于一光滑物表；其中該定位基部是供一所需物 品的定位連結，其軸向內部凹設一收容槽，該收容槽內部嵌設一磁吸體。 【當前權利人】林必盛 【當前專利權人地址】中國臺灣 【被引證次數】TRUE 【家族被引證次數】TRUE
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