【摘要】本實(shí)用新型涉及一種高電壓集成電路，其包含P襯底。N阱隔離欄設(shè)置在所述襯底中。形成P阱的分開的P擴(kuò)散區(qū)域設(shè)置在所述襯底中，用于充當(dāng)隔離結(jié)構(gòu)。低電壓控制電路定位在所述N阱隔離欄外。浮置電路定位在所述N阱隔離欄內(nèi)。所述浮置電路中的器件的最
【摘要】 本發(fā)明揭示一種決定一閃存元件的一感測時(shí)間的方法，所述方法包含：將一第一參考位線放電、將一第二參考位線放電、決定一第一控制信號(hào)和決定一第二控制信號(hào)。為執(zhí)行所述方法，本發(fā)明揭示一種決定一閃存元件的一感測時(shí)間的裝置，其包含：一第一電流槽、一第二電流槽、一第一參考頁緩沖區(qū)、一第二參考頁緩沖區(qū)、一第一參考位線和一第二參考位線。所述第一參考位線耦合于所述第一電流槽與所述第一參考頁緩沖區(qū)之間；所述第二參考位線，耦合于所述第二電流槽與所述第二參考頁緩沖區(qū)之間。所述第一和第二參考位線預(yù)充電到與常態(tài)單元的位線具有相同電壓電平。所述第一和第二電流槽在讀取和驗(yàn)證操作時(shí)，分別用以對(duì)所述第一和第二參考位線進(jìn)行放電。。 【專利類型】發(fā)明申請(qǐng) 【申請(qǐng)人】晶豪科技股份有限公司 【申請(qǐng)人類型】企業(yè) 【申請(qǐng)人地址】中國臺(tái)灣 【申請(qǐng)人地區(qū)】中國 【申請(qǐng)人城市】臺(tái)灣省 【申請(qǐng)?zhí)枴緾N200610065593.5 【申請(qǐng)日】2006-03-24 【申請(qǐng)年份】2006 【公開公告號(hào)】CN101042924A 【公開公告日】2007-09-26 【公開公告年份】2007 【授權(quán)公告號(hào)】CN101042924B 【授權(quán)公告日】2010-05-12 【授權(quán)公告年份】2010.0 【IPC分類號(hào)】G11C7/10; G11C16/10; G11C16/06 【發(fā)明人】陳宗仁 【主權(quán)項(xiàng)內(nèi)容】1.一種決定閃存元件感測時(shí)間的方法，所述閃存元件包含位于一內(nèi)存單元陣列中的一 頁緩沖區(qū)和復(fù)數(shù)個(gè)常態(tài)單元，其特征在于所述方法包含以下步驟： 經(jīng)由一第一電流槽將一耦合到一第一參考頁緩沖區(qū)的第一參考位線放電； 經(jīng)由一第二電流槽將一耦合到一第二參考頁緩沖區(qū)的第二參考位線放電； 當(dāng)所述第一參考位線的電壓到達(dá)一第一預(yù)定電壓時(shí)，產(chǎn)生一第一控制信號(hào)；和 當(dāng)所述第二參考位線的電壓到達(dá)一第二預(yù)定電壓時(shí)，產(chǎn)生一第二控制信號(hào)； 其中所述第二控制信號(hào)的產(chǎn)生由所述第一控制信號(hào)的狀態(tài)和一耦合到所述第二 參考位線的節(jié)點(diǎn)的電位所決定，所述第一和第二控制信號(hào)提供到所述頁緩沖區(qū)，且 所述第二控制信號(hào)的生成時(shí)間決定所述感測時(shí)間。 【當(dāng)前權(quán)利人】晶豪科技股份有限公司 【當(dāng)前專利權(quán)人地址】中國臺(tái)灣 【引證次數(shù)】4.0 【被引證次數(shù)】2 【他引次數(shù)】4.0 【被他引次數(shù)】2.0 【家族引證次數(shù)】6.0 【家族被引證次數(shù)】2
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