【專利類型】外觀設計 【申請人】瀚斯寶麗股份有限公司 【申請人類型】企業 【申請人地址】中國臺灣臺北市內湖區瑞光路480號12樓 【申請人地區】中國 【申請人城市】臺灣省 【申請號】CN200630120493.9 【申請日】2006-06-28 【申請年份】2006 【公開公告號】CN300684449D 【公開公告日】2007-08-29 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN300684449D 【授權公告日】2007-08-29 【授權公告年份】2007.0 【發明人】華朗寧 【主權項內容】無 【當前權利人】瀚斯寶麗股份有限公司 【當前專利權人地址】中國臺灣臺北市內湖區瑞光路480號12樓
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【摘要】本實用新型公開了一種光學測試治具，用以測試一鏡頭組件，其包括有一校正基準裝置及一相對應的測試裝置，而校正基準裝置具有至少一光源及一調正幕，且測試裝置具有一用以固定鏡頭組件的固定機構、一調整鏡頭組件焦距的驅動機構、及一設置于鏡頭組件與
【摘要】本實用新型為一種側向發光二極管，包括有一座體、一支架與至少二晶片；其中，座體的前側形成有一凹杯，支架固設于座體的凹杯內，且各晶片電氣連接于凹杯內的支架上，支架延伸有數根彎折接腳，且數根彎折接腳呈反向對稱穿插排列于座體側面。本實用新型
【摘要】一種像素結構，其包括基板、第一金屬層、第一介電層、半導體層、第二金屬層以及像素電極。第一金屬層包括柵極以及掃描線并設置于基板上。第一介電層覆蓋第一金屬層。半導體層設置于柵極上方的第一介電層上。第二金屬層包括源極、漏極與數據線，且源極
【摘要】一種非揮發性記憶體的制造方法，首先于基底上依序形成介電層、第一導體層及罩幕層。圖案化罩幕層、第一導體層及介電層，以形成浮置閘極與多個開口。然后，于開口的側壁上形成間隙壁。于各開口下方的基底中形成源極汲極區。進行熱氧化制程氧化各開口所
【摘要】本實用新型公開了一種鑄物撥開器構造，其至少包括撐臂本體、連結凸耳與固定件，其中撐臂本體設有凹陷以供連結凸耳定位，而撐臂本體外側設有防滑部，且撐臂本體設有螺紋孔，而連結凸耳亦設有穿孔以對應撐臂本體的螺紋孔，固定件設有陽螺紋，并穿透連結
【摘要】本發明涉及一種電流驅動型電子斷路保護裝置，其由一電流鏡電路、一閂鎖電路及一功率型金氧半場效晶體管所組成。其利用一電流電壓轉換組件(Current－to－Voltage Converter)，控制電流鏡中一只晶體管的射極(the Em
