【摘要】本實用新型是有關(guān)于一種功率轉(zhuǎn)換器的高壓啟動電路，其包含有一接面場效電晶體、一阻抗裝置、一第一電晶體、一第二電晶體與一二極體。接面場效電晶體耦接一電壓源。第一電晶體串聯(lián)于接面場效電晶體，以依據(jù)電壓源輸出一供應(yīng)電壓至功率轉(zhuǎn)換器的一控制電
【摘要】 本發(fā)明是有關(guān)于一種用于半導(dǎo)體制程的光微影 方法，包含提供一基材當(dāng)作一晶圓，以及提供一光罩來曝光此 晶圓。此晶圓是使用一種組合高角度照明方法及焦點漂移曝光 方式來進行曝光。利用這種整合高角度照明方法和焦點漂移曝 光方法的光微影制程，可以降低鄰近效應(yīng)，并增加焦點深度。 【專利類型】發(fā)明申請 【申請人】臺灣積體電路制造股份有限公司 【申請人類型】企業(yè) 【申請人地址】中國臺灣新竹市新竹科學(xué)工業(yè)園區(qū)力行六路8號 【申請人地區(qū)】中國 【申請人城市】臺灣省 【申請?zhí)枴緾N200610149997.2 【申請日】2006-10-25 【申請年份】2006 【公開公告號】CN1955847A 【公開公告日】2007-05-02 【公開公告年份】2007 【授權(quán)公告號】CN100514192C 【授權(quán)公告日】2009-07-15 【授權(quán)公告年份】2009.0 【發(fā)明人】陳桂順; 林進祥; 高蔡勝; 陳俊光; 陸曉慈; 梁輔杰 【主權(quán)項內(nèi)容】1、一種半導(dǎo)體制造方法，其特征在于該制造方法包含： 提供一基材； 覆蓋一光阻層于該基材之上；以及 利用高角度照明方法以及焦點漂移曝光方法的組合曝光該基材。 【當(dāng)前權(quán)利人】臺灣積體電路制造股份有限公司 【當(dāng)前專利權(quán)人地址】中國臺灣新竹市新竹科學(xué)工業(yè)園區(qū)力行六路8號 【被引證次數(shù)】1 【家族被引證次數(shù)】5
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