【摘要】本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制造方法，包括：一基板，一核心電路以及一靜態(tài)隨機存取存儲器晶胞；其中上述靜態(tài)隨機存取存儲器晶胞包括一提升電位P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管，包括：一第一源漏極區(qū)，位于上述基板中；一第一鍺化硅應(yīng)激物，位于上述基
【摘要】 一種氧化處理設(shè)備，此氧化處理設(shè)備由混合器、氧化劑供應(yīng)單元、氧化劑吸收及反應(yīng)槽、觸媒氧化反應(yīng)槽與紫外光氧化反應(yīng)槽所構(gòu)成。其中，氧化劑供應(yīng)單元與混合器連接，氧化劑吸收及反應(yīng)槽與混合器連接，觸媒氧化反應(yīng)槽與氧化劑吸收及反應(yīng)槽連接，紫外光氧化反應(yīng)槽與觸媒氧化反應(yīng)槽連接。通過氧化劑吸收及反應(yīng)槽的設(shè)計，可提高氧化劑利用率及污染物之處理效率。 【專利類型】發(fā)明申請 【申請人】慧群環(huán)境科技股份有限公司 【申請人類型】企業(yè) 【申請人地址】臺灣省臺北市內(nèi)湖區(qū)民權(quán)東路六段160號8樓之3 【申請人地區(qū)】中國 【申請人城市】臺灣省 【申請?zhí)枴緾N200610003102.4 【申請日】2006-02-10 【申請年份】2006 【公開公告號】CN101016183A 【公開公告日】2007-08-15 【公開公告年份】2007 【IPC分類號】C02F1/72; C02F1/32 【發(fā)明人】林樹榮; 孫觀豐; 蔡耀輝 【主權(quán)項內(nèi)容】1.一種氧化處理設(shè)備，其特征是包括： 混合器； 氧化劑供應(yīng)單元，與上述混合器連接； 氧化劑吸收及反應(yīng)槽，與上述混合器連接； 觸媒氧化反應(yīng)槽，與上述氧化劑吸收及反應(yīng)槽連接；以及 紫外光氧化反應(yīng)槽，與上述觸媒氧化反應(yīng)槽連接。 【當前權(quán)利人】慧群環(huán)境科技股份有限公司 【當前專利權(quán)人地址】臺灣省臺北市內(nèi)湖區(qū)民權(quán)東路六段160號8樓之3 【被引證次數(shù)】4 【被他引次數(shù)】4.0 【家族被引證次數(shù)】4
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