【摘要】本發明涉及一種改善多點對多點遠距實時串流視訊傳輸及儲存的反射器及方法，其中：所述反射器被設置于包含數字監控、視訊服務器之被監控端與至少包含有串流服務器之伺服端之間；該反射器用于：接收以rtp實時協議格式輸入的、數字監控、視訊服務器及
【摘要】 本發明提供一種具有溝槽式柵極的半導體裝置的制造方法，首先，提供一半導體基底，其表面具有一溝槽蝕刻掩膜，其次，利用該溝槽蝕刻掩膜為遮蔽物，并蝕刻該半導體基底，以形成一溝槽，然后，經由該溝槽摻入摻雜劑于該半導體基底以形成一摻雜區域。蝕刻位于該溝槽底部的該半導體基底，以在該溝槽的底部形成一延伸部，然后，在該溝槽及該延伸部形成一柵極絕緣層，并且，在該溝槽及該延伸部之中形成一溝槽式柵極。 【專利類型】發明申請 【申請人】南亞科技股份有限公司 【申請人類型】企業 【申請人地址】中國臺灣桃園縣 【申請人地區】中國 【申請人城市】臺灣省 【申請號】CN200610008851.6 【申請日】2006-02-22 【申請年份】2006 【公開公告號】CN101026098A 【公開公告日】2007-08-29 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN100459074C 【授權公告日】2009-02-04 【授權公告年份】2009.0 【IPC分類號】H01L21/336; H01L29/78; H01L21/02; H01L29/66 【發明人】林瑄智; 程謙禮; 李中元; 林正平; 李培瑛 【主權項內容】1.一種具有溝槽式柵極之半導體裝置的制造方法，包括： 提供一半導體基底，其表面具有一溝槽蝕刻掩膜； 利用該溝槽蝕刻掩膜為遮蔽物，并蝕刻該半導體基底，以形成一溝槽； 經由該溝槽摻入摻雜劑于該半導體基底以形成一摻雜區域； 蝕刻位于該溝槽底部的該半導體基底，以在該溝槽的底部形成一延伸 部； 在該溝槽及該延伸部形成一柵極絕緣層； 在該溝槽及該延伸部之中形成一溝槽式柵極。 【當前權利人】南亞科技股份有限公司 【當前專利權人地址】中國臺灣桃園縣 【引證次數】2.0 【被引證次數】10 【他引次數】2.0 【被他引次數】10.0 【家族引證次數】9.0 【家族被引證次數】10
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