【摘要】 本發明公開一種具網狀接地面的多層電路板特性阻抗控制方法及結構，是多層電路板具有網狀接地面層及傳輸線路層，其中，該網狀接地面層由數個對稱形狀且作矩陣排列的網格組成，各網格的縱對角線分別與電路板的長度方向平行，又令傳輸線路層的傳輸線與
【摘要】 一種薄膜晶體管陣列基板及其制作方法，該基板上依次包括有，圖樣化的第一金屬層，連續成膜并形成晶體管主動層區域的絕緣層、非晶硅層及歐姆接觸層；濺鍍沉積并圖樣化的第二金屬層，且以第二金屬的圖層進行蝕刻，定義晶體管的后通道；沉積覆蓋該基板表面的保護層，且蝕刻形成該保護層圖樣；最后形成金屬氧化物層的圖樣。其中在蝕刻該保護層時，透過灰階掩模將該像素電極區域的該絕緣層進行過蝕刻，去除在該絕緣層上微粒殘余，達到提高成品率的目的。 【專利類型】發明申請 【申請人】勝華科技股份有限公司 【申請人類型】企業 【申請人地址】中國臺灣臺中縣 【申請人地區】中國 【申請人城市】臺灣省 【申請號】CN200610002249.1 【申請日】2006-01-27 【申請年份】2006 【公開公告號】CN101009249A 【公開公告日】2007-08-01 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN100511651C 【授權公告日】2009-07-08 【授權公告年份】2009.0 【IPC分類號】H01L21/84; H01L27/12; H01L21/70 【發明人】翁明全; 陳泰源; 江寶焜 【主權項內容】1.一種薄膜晶體管陣列基板的制作方法，是非晶硅的薄膜晶體管 矩陣玻璃基板形成的制程，所述制作方法包括有下列步驟： (a)在基板(11)表面上沉積第一金屬層，并形成所述 第一金屬層的圖樣； (b)在所述基板(11)上依次連續成膜一絕緣層(131)、 一非晶硅層(132)、一歐姆接觸層(133)，并形成晶體管的主 動層區域(30)圖樣； (c)再以濺鍍沉積第二金屬層(14)，并形成所述第二金 屬層(14)的圖樣；再以第二金屬圖層進行蝕刻，定義晶體管 的后通道； (d)在所述基板(11)上全面沉積一保護層(15)； (e)在所述基板(11)上涂布光阻層(40)，經曝光顯影 后，使所述像素電極區域(31)上的光阻層(40)比未顯影區 域的光阻層薄，形成一薄光阻層(41)； (f)進行第一蝕刻階段，在無光阻層區域去除所述保護 層(15)，形成接觸區域，同時將所述薄光阻層(41)蝕刻去 除； (g)進行第二蝕刻階段，將所述保護層(15)及所述絕 緣層(131)部分蝕刻； (h)再以濺鍍沉積一金屬氧化物層(16)，并形成所述 金屬氧化物層(16)的圖樣。 【當前權利人】勝華科技股份有限公司 【當前專利權人地址】中國臺灣臺中縣 【被引證次數】8 【被自引次數】1.0 【被他引次數】7.0 【家族引證次數】5.0 【家族被引證次數】8
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