【摘要】一種發光二極管封裝，其包括承載器、發光二極管芯片、芯片接合層以及焊線。發光二極管芯片設置于承載器上，芯片接合層設置于發光二極管芯片與承載器之間，其中芯片接合層具有多個孔洞，用以調變發光二極管芯片與芯片接合層之接合面積，以解決不同發光
【摘要】 本發明公開一種響應于一擦除指令，保護電荷陷 獲存儲器單元免于過度擦除的方法及裝置。擦除電荷陷獲存儲 器單元的方法，包括：響應擦除若干個電荷陷獲存儲器單元的 指令，其中每個電荷陷獲存儲器單元具有與一個門限電壓、一 個編程狀態及一個擦除狀態相關的一個電荷陷獲結構：施加一 個第一偏壓安排，以對該若干個電荷陷獲存儲器單元中的電荷 陷獲存儲器單元進行編程；以及然后施加一個第二偏壓安排， 以在該若干個電荷陷獲存儲器單元建立該擦除狀態，其中相較 于在該編程狀態，該若干個電荷陷獲存儲器單元中的每個電荷 陷獲存儲器單元的該電荷陷獲結構在該擦除狀態具有一個較 高的凈電子電荷。 【專利類型】發明申請 【申請人】旺宏電子股份有限公司 【申請人類型】企業 【申請人地址】中國臺灣新竹科學工業園區 【申請人地區】中國 【申請人城市】臺灣省 【申請號】CN200610114852.9 【申請日】2006-08-09 【申請年份】2006 【公開公告號】CN1929030A 【公開公告日】2007-03-14 【公開公告年份】2007 【發明人】廖意瑛; 葉致鍇; 蔡文哲; 盧道政 【主權項內容】1、一種擦除電荷陷獲存儲器單元的方法，包括： 響應于擦除若干個電荷陷獲存儲器單元的指令，其中每個電荷陷 獲存儲器單元具有與一個門限電壓、一個編程狀態及一個擦除狀態相 關的一個電荷陷獲結構： 施加一個第一偏壓安排，以對該若干個電荷陷獲存儲器單元中的 電荷陷獲存儲器單元進行編程；以及 施加一個第二偏壓安排，以在該若干個電荷陷獲存儲器單元建立 該擦除狀態，其中相較于在該編程狀態，該若干個電荷陷獲存儲器單 元中的每個電荷陷獲存儲器單元的該電荷陷獲結構在該擦除狀態具 有一個較高的凈電子電荷。 【當前權利人】旺宏電子股份有限公司 【當前專利權人地址】中國臺灣新竹科學工業園區 【被引證次數】2 【被他引次數】2.0 【家族被引證次數】11
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