【摘要】本發明公開了一種細孔放電加工機夾持電極管 的方法及裝置，其搭配防漏墊塊及夾頭與夾頭螺帽而實施，其 方法提供一嵌件以容納并限制防漏墊塊，再以該嵌件嵌置于夾 頭內，之后將電極管穿透嵌件及防漏墊塊的中央，而自然被限 制在嵌件的中央；其裝置
【摘要】 本發明提供一種半導體裝置及其制造方法，該半導體裝置包括：一基底；一介電層，形成于該基底上；一開口，形成于該介電層中；一第一阻障層，覆蓋于該開口的側壁；一第二阻障層，覆蓋于該第一阻障層上與該開口的底部；以及一導電層，填入該開口。本發明所述的半導體裝置及其制造方法，提供一包含多重沉積與再濺鍍步驟的制程以及極佳的再濺鍍/沉積比例，使獲得的金屬阻障層的厚度極薄，而能有效降低內連線結構的阻值，例如能有效降低接觸區與鑲嵌導線間的阻值。此外，于溝槽角落的阻障層厚度亦可被控制，以避免再濺鍍后產生的微溝槽現象，增加了元件的可靠性。 【專利類型】發明申請 【申請人】臺灣積體電路制造股份有限公司 【申請人類型】企業 【申請人地址】臺灣省新竹科學工業園區新竹市力行六路八號 【申請人地區】中國 【申請人城市】臺灣省 【申請號】CN200610111749.9 【申請日】2006-08-25 【申請年份】2006 【公開公告號】CN101064296A 【公開公告日】2007-10-31 【公開公告年份】2007 【IPC分類號】H01L23/522; H01L21/768 【發明人】曹榮志; 陳科維; 張世杰; 林俞谷; 王英郎 【主權項內容】1.一種半導體裝置，其特征在于，該半導體裝置包括： 一基底； 一介電層，覆蓋于該基底上，其中于該介電層中形成有一開 口； 一第一阻障層，覆蓋于該開口的側壁； 一第二阻障層，覆蓋于該第一阻障層上與該開口的底部；以 及 一導電層，填入該開口。 【當前權利人】臺灣積體電路制造股份有限公司 【當前專利權人地址】臺灣省新竹科學工業園區新竹市力行六路八號 【被引證次數】6 【被自引次數】1.0 【被他引次數】5.0 【家族引證次數】2.0 【家族被引證次數】22
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