【摘要】本實用新型是有關于一種擴張照射面積的發光二極管，其是揭露一發光二極管芯片以及一遮蔽層，其中，遮蔽層是設置于發光二極管芯片的一出射面的上方，且遮蔽層的長度是大于、等于或小于發光二極管芯片的出射面的長度，藉此，發光二極管芯片所發出的光源
【摘要】 一種抑制存儲器陣列裝置中的編程干擾的系統 以及方法。該系統包括位線譯碼器以及偏壓電阻模塊。位線譯 碼器耦接至存儲器陣列的每一位線，用于提供預設電流轉向路 徑。偏壓電阻模塊設置于閃存陣列的位線，且具有預設提供電 壓所提供的拉升電流。在編程連接至該位線的快閃存儲單元 時，此拉升電流會被轉向，而由于該拉升電流被轉向，使得得 以穩定快閃存儲單元的程序化電流。本發明通過使用位線譯碼 器將拉升電流轉向，可減少程序化電流的變異，因此得以較精 準的控制程序化電流，以達到較佳的產率，并且該種位線拉升 機制也可用于位線提升。 【專利類型】發明申請 【申請人】臺灣積體電路制造股份有限公司 【申請人類型】企業 【申請人地址】中國臺灣新竹市 【申請人地區】中國 【申請人城市】臺灣省 【申請號】CN200610115505.8 【申請日】2006-08-16 【申請年份】2006 【公開公告號】CN1917088A 【公開公告日】2007-02-21 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN100461301C 【授權公告日】2009-02-11 【授權公告年份】2009.0 【IPC分類號】G11C16/06 【發明人】池育德; 劉上玄 【主權項內容】1.一種閃存陣列系統，包括： 偏壓電阻模塊，設置于位線，其中該位線具有預定供應電壓所提供的拉 升電流； 位線譯碼器，在每一位線處耦接至該偏壓電阻模塊，用以將該拉升電流 轉向； 至少一快閃存儲單元，連接至該位線，且具有流入該位線的程序化電流； 其中，該位線譯碼器會將該拉升電流轉向，使得在對該快閃存儲單元編 程時，可以穩定該快閃存儲單元的該程序化電流。 【當前權利人】臺灣積體電路制造股份有限公司 【當前專利權人地址】中國臺灣新竹市 【被引證次數】6 【被他引次數】6.0 【家族引證次數】8.0 【家族被引證次數】18
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