【摘要】本實用新型是有關一種記憶卡封裝結構，包括一基板，其具有至少一斜角，且于基板上設置芯片、焊線等制程步驟，及一封裝膠體，其形狀與基板一致而封裝基板上之芯片，即可形成一具有斜角的記憶卡，而不需再二次加工以切除斜角。【專利類型】實用新型【申
【摘要】 本發明提供一種注入劑量控制系統與方法、用離 子束進行晶圓注入的方法，所述注入劑量控制系統，包括第一 接口、第二接口、控制器。該第一接口，其是用以接收一注入 離子束的掃描位置數據。該第二接口，其是用以接收該注入離 子束的流量數據，其是界定在多個掃描之間的一第一流量值， 及在該多個掃描中之一者期間的多個第二流量值。該控制器， 其是依據該第一流量值決定一容忍范圍，決定是否該第二流量 值超過該容忍范圍，并計算超過該容忍范圍的該第二流量值的 數目。本發明所述注入劑量控制系統與方法、用離子束進行晶 圓注入的方法，可即時偵測離子流量，并根據流量隨時調整離 子注入量。 ： 【專利類型】發明申請 【申請人】臺灣積體電路制造股份有限公司 【申請人類型】企業 【申請人地址】臺灣省新竹科學工業園區新竹市力行六路八號 【申請人地區】中國 【申請人城市】臺灣省 【申請號】CN200610002904.3 【申請日】2006-01-27 【申請年份】2006 【公開公告號】CN1892987A 【公開公告日】2007-01-10 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN100530548C 【授權公告日】2009-08-19 【授權公告年份】2009.0 【IPC分類號】H01L21/265; H01L21/425; C30B31/22; H01J37/317; H01L21/02; C30B31/00 【發明人】鄭迺漢; 張鈞琳; 彭文煜 【主權項內容】1.一種注入劑量控制系統，其特征在于，所述注入劑量控制 系統包括： 一第一接口，其是用以接收一注入離子束的掃描位置數據； 一第二接口，其是用以接收該注入離子束的流量數據，其是 界定在多個掃描之間的一第一流量值，及在該多個掃描其中之一 的期間的多個第二流量值；以及 一控制器，其是依據該第一流量值決定一容忍范圍，決定是 否該第二流量值超過該容忍范圍，并計算超過該容忍范圍的該第 二流量值的數目。 【當前權利人】臺灣積體電路制造股份有限公司 【當前專利權人地址】臺灣省新竹科學工業園區新竹市力行六路八號 【被引證次數】2 【被他引次數】2.0 【家族引證次數】18.0 【家族被引證次數】15
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