【專利類型】外觀設計【申請人】梁徽湖【申請人類型】個人【申請人地址】中國臺灣【申請人地區】中國【申請人城市】臺灣省【申請號】CN200630007540.9【申請日】2006-03-13【申請年份】2006【公開公告號】CN3610373D
【摘要】 本發明提供一種形成覆蓋有聚醯亞胺 (polyimide，PI)的連續電鍍結構的方法，其包括(a)提供一半導 體基底；(b)在該半導體基底上形成一黏著/阻障層；(c)在該黏 著/阻障層上形成復數金屬線路層(metal trace)；(d)在該些金屬 線路層中選擇一目標區域做為接墊，并在該接墊上形成一金屬 層；(e)去除未被覆蓋的該黏著/阻障層；以及(f)形成一聚醯亞 胺在該半導體基底上，并暴露出該金屬層。 【專利類型】發明申請 【申請人】米輯電子股份有限公司 【申請人類型】企業 【申請人地址】中國臺灣 【申請人地區】中國 【申請人城市】臺灣省 【申請號】CN200610099491.5 【申請日】2006-07-24 【申請年份】2006 【公開公告號】CN1901162A 【公開公告日】2007-01-24 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN1901162B 【授權公告日】2011-04-20 【授權公告年份】2011.0 【IPC分類號】H01L21/822; H01L21/768; H01L21/60; H01L27/04; H01L23/522; H01L23/485 【發明人】林茂雄; 羅心榮; 周秋明; 周健康 【主權項內容】1.一種連續電鍍制作線路組件的方法，其特征在于，其步驟包括： 提供一半導體基底、一細聯機結構及一保護層，其中該細聯機結構位在該半導 體基底上，該保護層位在該細聯機結構上； 形成一第一金屬層在該保護層上； 形成一第一圖案化光阻層在該第一金屬層上，該第一圖案化光阻層的開口暴露 出該第一金屬層； 形成一第二金屬層在該第一圖案化光阻層的該開口內； 去除該第一圖案化光阻層； 形成一第一聚合物層在該第一金屬層及該第二金屬層上； 圖案化該第一聚合物層使部分該第一金屬層及部分該第二金屬層頂端暴露出， 其中在該第二金屬層周緣仍包覆該第一聚合層，且位于該第二金屬層上的該第一聚 合物層具有至少一開口暴露出該第二金屬層；以及 去除未在該第二金屬層及該第一聚合物層下的該第一金屬層。 【當前權利人】高通股份有限公司 【當前專利權人地址】美國加利福尼亞州 【引證次數】13.0 【被引證次數】2 【他引次數】13.0 【被自引次數】2.0 【家族引證次數】27.0 【家族被引證次數】21
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