【摘要】本實用新型揭示一種高壓側驅動器的半導體結構及其制造方法。高壓側驅動器半導體包括一離子摻雜接面,及形成于離子摻雜接面上的一絕緣層。離子摻雜接面具有多個離子摻雜深阱,且離子摻雜深阱間是部分連接。【專利類型】實用新型【申請人】崇貿科技股份
【專利類型】外觀設計 【申請人】李文嵩 【申請人類型】個人 【申請人地址】臺灣省臺中市西屯區朝富路148號 【申請人地區】中國 【申請人城市】臺灣省 【申請號】CN200630060785.8 【申請日】2006-05-09 【申請年份】2006 【公開公告號】CN3641186D 【公開公告日】2007-05-02 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN3641186D 【授權公告日】2007-05-02 【授權公告年份】2007.0 【發明人】李文嵩 【主權項內容】無 【當前權利人】李文嵩 【當前專利權人地址】臺灣省臺中市西屯區朝富路148號
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