【摘要】本發明公開了一種具有埋入的擴散間隔物的氮 化物只讀存儲器的制造方法。氧化硅氮化硅氧化硅(ONO)層 沉積在硅襯底上，并且多晶硅柵極形成在氧化硅氮化硅氧化 硅(ONO)層之上。兩個埋入的擴散間隔物形成在多晶硅柵極 側壁的兩側以及氧化硅
【摘要】 本外觀設計的后視圖與主視圖對稱，左視圖與右視圖對稱，故省略后視圖與左視圖。 【專利類型】外觀設計 【申請人】張晉升 【申請人類型】個人 【申請人地址】臺灣省412臺中縣大里市中興路1段2巷81弄101號 【申請人地區】中國 【申請人城市】臺灣省 【申請號】CN200630035799.4 【申請日】2006-04-26 【申請年份】2006 【公開公告號】CN3625538D 【公開公告日】2007-03-28 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN3625538D 【授權公告日】2007-03-28 【授權公告年份】2007.0 【發明人】張晉升 【主權項內容】無 【當前權利人】張晉升 【當前專利權人地址】臺灣省412臺中縣大里市中興路1段2巷81弄101號
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