【摘要】一種扭力提升器，包括一真空膜片座以及一結合于真空膜片座一端的固定座，真空膜片座進一步包括對合密封的一第一膜片座以及一第二膜片座，第一膜片座遠離第二膜片座該端中間分別設有一螺孔，螺孔鄰近膜片段設為具有光滑內周壁的直孔部，另設一調整螺栓
【摘要】 本發明提供一種在半導體基底上進行浸潤式光 刻的方法及其處理系統，所述浸潤式光刻的方法包括：提供一 光阻層在半導體基底上，以及使用浸潤式光刻曝光系統曝光該 光阻層。該浸潤式光刻曝光系統在曝光時使用液體，并可在曝 光后去除一些但不是全部的液體；曝光后，使用一處理步驟去 除光阻層上殘留的液體；處理后，進行曝光后烘烤及顯影步驟。 【專利類型】發明申請 【申請人】臺灣積體電路制造股份有限公司 【申請人類型】企業 【申請人地址】中國臺灣新竹市 【申請人地區】中國 【申請人城市】臺灣省 【申請號】CN200610100019.9 【申請日】2006-06-29 【申請年份】2006 【公開公告號】CN1892436A 【公開公告日】2007-01-10 【公開公告年份】2007 【IPC分類號】G03F7/20; G03F7/26; H01L21/00 【發明人】張慶裕; 游大慶; 林進祥 【主權項內容】1.一種浸潤式光刻的方法，包括： 提供一光阻層在一半導體基底上； 使用一浸潤式光刻曝光系統曝光該光阻層，該浸潤式光刻曝光系統在曝 光時使用一液體； 在曝光后及曝光后烘烤前對該光阻層進行一處理步驟，用以去除任何殘 留的該液體； 曝光后烘烤該光阻層；以及 顯影該光阻層。 【當前權利人】臺灣積體電路制造股份有限公司 【當前專利權人地址】中國臺灣新竹市 【引證次數】1.0 【被引證次數】4 【他引次數】1.0 【被自引次數】2.0 【被他引次數】2.0 【家族引證次數】12.0 【家族被引證次數】6
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