【專利類型】外觀設計【申請人】谷勵企業有限公司【申請人類型】企業【申請人地址】臺灣省臺中縣【申請人地區】中國【申請人城市】臺灣省【申請號】CN200630134114.1【申請日】2006-06-06【申請年份】2006【公開公告號】CN3
【摘要】 本發明提供一半導體元件及制造鑲嵌結構中的 金屬絕緣金屬電容的方法。一第一層間導電接孔形成于且穿過 一層間介電層以及一介電蝕刻停止層。該介電蝕刻停止層設于 該層間介電層之下，且該導電接孔接觸設于該介電蝕刻停止層 下的一第一內連接結構。一金屬絕緣金屬電容，包含有一第一 平板電極、一第二平板電極以及一第二層間導電接孔。該第一 平板電極形成于設于該介電蝕刻停止層下的一第二內連接結 構之上。該第二平板電極形成于該介電蝕刻停止層上，且大致 的與該第一平板電極平行且相重疊。該第二層間導電接孔形成 于且穿過該層間介電層，且與該第二平板電極相接觸。本發明 避免了使用超薄柵氧化層所產生的大電容所伴隨的高漏電。 【專利類型】發明申請 【申請人】臺灣積體電路制造股份有限公司 【申請人類型】企業 【申請人地址】中國臺灣新竹科學工業園區新竹市力行六路八號 【申請人地區】中國 【申請人城市】臺灣省 【申請號】CN200610127222.5 【申請日】2006-09-12 【申請年份】2006 【公開公告號】CN1933153A 【公開公告日】2007-03-21 【公開公告年份】2007 【發明人】歐東尼; 卡羅斯 【主權項內容】1.一半導體元件，其特征在于，所述半導體元件包含有： 一第一鑲嵌內連接結構，包含有： 一導電接孔，形成于且穿過一第一層間介電層以及一第 一介電蝕刻停止層，其中，該第一介電蝕刻停止層設于該第 一層間介電層之下，該導電接孔接觸設于該第一介電蝕刻停 止層下的一第一內連接結構；以及 一導電溝槽，形成于且穿過一第二層間介電層以及一第 二介電蝕刻停止層，該第二介電蝕刻停止層介于該第一層間 介電層與第二層間介電層之間，其中，該導電溝槽與該導電 接孔相接觸；以及 一金屬絕緣金屬電容，包含有： 一第一平板電極，形成于設于該第一介電蝕刻停止層下 的一第二內連接結構之上； 一第二平板電極，形成于該第一介電蝕刻停止層上，且 與該第一平板電極相重疊；以及 一第二鑲嵌內連接結構，形成于且穿過該第一層間介電 層與第二層間介電層以及該第二介電蝕刻停止層，以及與該 第二平板電極相接觸。 【當前權利人】臺灣積體電路制造股份有限公司 【當前專利權人地址】中國臺灣新竹科學工業園區新竹市力行六路八號 【被引證次數】10 【被自引次數】5.0 【被他引次數】5.0 【家族被引證次數】49
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