【摘要】本發明提供一種半導體裝置及其制造方法,半導 體裝置的制造方法包括提供基底,在基底上形成第一柵極結構 與第二柵極結構,且兩柵極結構之間彼此電性隔離,在基底中 的第一柵極結構兩側形成第一雙擴散區域,在基底中的第二柵 極結構兩側形成第二雙
【摘要】 后視圖無設計要點,故省略后視圖。 【專利類型】外觀設計 【申請人】臺灣福興工業股份有限公司 【申請人類型】企業 【申請人地址】中國臺灣高雄縣 【申請人地區】中國 【申請人城市】臺灣省 【申請號】CN200630133340.8 【申請日】2006-06-19 【申請年份】2006 【公開公告號】CN3667599D 【公開公告日】2007-07-11 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN3667599D 【授權公告日】2007-07-11 【授權公告年份】2007.0 【發明人】林詩涵; 蔣光浚; 黃蓮溪 【主權項內容】無 【當前權利人】臺灣福興工業股份有限公司 【當前專利權人地址】中國臺灣高雄縣
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