【摘要】本發明提供了一種用于紅光多階光存儲裝置的讀出信號檢測方法，其中，所述紅光多階光存儲裝置的道間距大于等于0.52微米，本方法包括以下步驟：步驟a，從紅光多階光存儲裝置的讀出信號{rt}中恢復時鐘信號，并以時鐘信號為基準對{rt}進行采
【摘要】 。本發明涉及一種線路組件結構及其制作方法，其 結構在此半導體基底的頂部表面上設有至少一接墊；一保護層 (passivation layer)是位于半導體基底的頂部表面上，且位于此 保護層內的至少一開口暴露出接墊；及一金屬層是堆棧形成在 接墊上。 【專利類型】發明申請 【申請人】米輯電子股份有限公司 【申請人類型】企業 【申請人地址】中國臺灣 【申請人地區】中國 【申請人城市】臺灣省 【申請號】CN200610099176.2 【申請日】2006-07-31 【申請年份】2006 【公開公告號】CN1905178A 【公開公告日】2007-01-31 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN1905178B 【授權公告日】2010-09-22 【授權公告年份】2010.0 【IPC分類號】H01L23/485; H01L21/60; H01L21/28 【發明人】林茂雄; 羅心榮; 周秋明; 周健康; 陳科宏 【主權項內容】1.一種線路組件結構，其特征在于，包括： 一半導體基底； 至少一銅接墊，位于該半導體基底上； 一保護層，位于該半導體基底上，且位于該保護層內的至少一開口暴露出該銅 接墊；以及 一銀層，位于該銅接墊上，且該銀層的厚度大于1.6微米。 【當前權利人】高通股份有限公司 【當前專利權人地址】美國加利福尼亞州 【被引證次數】4 【被他引次數】4.0 【家族引證次數】25.0 【家族被引證次數】35
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