【摘要】本發(fā)明揭露一種傳送信息的方法，其用來通過一 服務(wù)器以自一第一可攜式電子裝置傳送一信息至一第二可攜 式電子裝置，該方法包含有：利用該第一可攜式電子裝置，以 附加一傳遞信息至該信息，并且將該信息傳送至該服務(wù)器；利 用該服務(wù)器自該信息讀取
【摘要】 本發(fā)明公開了一種單層多晶硅非易失性存儲器 單元，包括第一導(dǎo)電型離子井、第二導(dǎo)電型源極摻雜區(qū)、第二 導(dǎo)電型漏極摻雜區(qū)、以及介于該源極摻雜區(qū)與該漏極摻雜區(qū)之 間的溝道區(qū)域，其中該溝道區(qū)域又分為電學(xué)相同的第一溝道區(qū) 域和相連到該第一溝道區(qū)域的第二溝道區(qū)域；柵極介電層，設(shè) 在該第一溝道區(qū)域正上方；控制柵極，疊設(shè)在該柵極介電層上； 間隙壁，設(shè)在該控制柵極側(cè)壁上，且該間隙壁位于該第二溝道 區(qū)域的正上方，其中該間隙壁包括浮置的電荷捕獲介質(zhì)；以及 第二導(dǎo)電型輕摻雜漏極區(qū)域，設(shè)在該控制柵極與源極摻雜區(qū)之 間。 【專利類型】發(fā)明申請 【申請人】力旺電子股份有限公司 【申請人類型】企業(yè) 【申請人地址】中國臺灣新竹市 【申請人地區(qū)】中國 【申請人城市】臺灣省 【申請?zhí)枴緾N200610128002.4 【申請日】2006-08-31 【申請年份】2006 【公開公告號】CN1967878A 【公開公告日】2007-05-23 【公開公告年份】2007 【IPC分類號】H01L29/792; H01L27/115; G11C16/10; G11C16/14; G11C16/26 【發(fā)明人】王世辰; 陳信銘; 盧俊宏; 何明洲; 沈士杰; 徐清祥 【主權(quán)項內(nèi)容】1.一種單層多晶硅非易失性存儲器單元的寫入操作方法，所述單層多 晶硅非易失性存儲器單元包括第一導(dǎo)電型離子井，第二導(dǎo)電型源極摻雜區(qū)、 第二導(dǎo)電型漏極摻雜區(qū)，和介于所述源極摻雜區(qū)與所述漏極摻雜區(qū)之間的溝 道區(qū)域，其中所述溝道區(qū)域又分為電學(xué)相同的第一溝道區(qū)域和相連于所述第 一溝道區(qū)域的第二溝道區(qū)域，且所述第一溝道具有閾值電壓Vth；柵極介電 層，設(shè)在所述第一溝道區(qū)域正上方；控制柵極，疊設(shè)在所述柵極介電層上； 間隙壁，設(shè)在所述控制柵極側(cè)壁上，且所述間隙壁位于所述第二溝道區(qū)域的 正上方，其中所述間隙壁包括浮置的電荷捕獲介質(zhì)；和第二導(dǎo)電型輕摻雜漏 極區(qū)域，設(shè)在所述控制柵極與源極摻雜區(qū)之間；所述寫入操作方法包括： 將所述離子井接井電壓VB； 將所述漏極摻雜區(qū)電連接到漏極電壓VD上，其中施加足夠VD電壓使漏 極與離子井的結(jié)形成反向偏壓； 將所述源極摻雜區(qū)電連接到源極電壓VS上；并且 將所述控制柵極電連接到柵極電壓VG上，使所述第一溝道呈開啟和強(qiáng) 反轉(zhuǎn)的狀態(tài)，載流子從所述源極摻雜區(qū)被拉進(jìn)所述第一溝道，導(dǎo)致“溝道熱 電子”產(chǎn)生，而經(jīng)由離子撞擊電離而產(chǎn)生更多熱電子，通過柵極電壓所形成 的垂直電場吸引所述熱電子轉(zhuǎn)向、注入并被捕獲在所述電荷捕獲介質(zhì)內(nèi)。。 【當(dāng)前權(quán)利人】力旺電子股份有限公司 【當(dāng)前專利權(quán)人地址】中國臺灣新竹市 【引證次數(shù)】3.0 【被引證次數(shù)】13 【他引次數(shù)】3.0 【被他引次數(shù)】13.0 【家族引證次數(shù)】41.0 【家族被引證次數(shù)】41
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