【摘要】一種含硅薄膜的形成方法，此方法是將襯底置于反應(yīng)室，然后于反應(yīng)室中導(dǎo)入一含硅氣體，以進(jìn)行化學(xué)氣相沉積工藝，而于襯底上形成含硅薄膜，其中，至少控制反應(yīng)室上內(nèi)壁的溫度低于50℃?！緦＠愋汀堪l(fā)明申請【申請人】聯(lián)華電子股份有限公司【申請人類
【摘要】 本實(shí)用新型涉及一種壓縮天然氣噴射器，它包括：噴射器殼體、閥座、銜鐵、彈簧、線圈、線圈外殼、擋鐵和電氣插頭；噴射器殼體和擋鐵插置于線圈的孔內(nèi)，線圈外殼套在線圈外，線圈外殼兩端輥邊收口使線圈外殼、線圈、擋鐵和噴射器殼體四者連接為一體；閥座、銜鐵和彈簧自下而上依次設(shè)于噴射器殼體的內(nèi)孔中，閥座和噴射器殼體相螺接，彈簧頂著銜鐵的上端；擋鐵上設(shè)有軸向通孔，銜鐵上端設(shè)有軸向盲孔，銜鐵下端設(shè)有與軸向盲孔相連通的側(cè)向孔，閥座上設(shè)有軸向通孔，銜鐵下端硫化有橡膠片，擋鐵下端硫化有橡膠片，噴射器殼體內(nèi)孔和銜鐵外圓表面噴涂有聚四氟乙烯層。本實(shí)用新型壓縮天然氣噴射器散熱迅速、氣流量大、密封性好、響應(yīng)快。 【專利類型】實(shí)用新型 【申請人】北京愛尼機(jī)電有限公司 【申請人類型】企業(yè) 【申請人地址】101302北京市順義區(qū)金馬工業(yè)區(qū)A區(qū) 【申請人地區(qū)】中國 【申請人城市】北京市 【申請人區(qū)縣】順義區(qū) 【申請?zhí)枴緾N200620119208.6 【申請日】2006-08-02 【申請年份】2006 【公開公告號】CN2937519Y 【公開公告日】2007-08-22 【公開公告年份】2007 【授權(quán)公告號】CN2937519Y 【授權(quán)公告日】2007-08-22 【授權(quán)公告年份】2007.0 【IPC分類號】F02M21/02 【發(fā)明人】高貴方 【主權(quán)項內(nèi)容】1.一種壓縮天然氣噴射器，其特征在于，它包括：噴射器殼體(1)、閥座 (2)、銜鐵(3)、彈簧(4)、線圈(5)、線圈外殼(6)、擋鐵(7)和電氣 插頭(8)；噴射器殼體(1)和擋鐵(7)插置于線圈(5)的孔內(nèi)，線圈外殼(6) 套在線圈(5)外，線圈外殼(6)兩端輥邊收口使線圈外殼(6)、線圈(5)、 擋鐵(7)和噴射器殼體(1)四者連接為一體；閥座(2)、銜鐵(3)和彈簧(4) 自下而上依次設(shè)于噴射器殼體(1)的內(nèi)孔中，閥座(2)和噴射器殼體(1)相 螺接，彈簧(4)頂著銜鐵(3)的上端；擋鐵(7)上設(shè)有軸向通孔(12)，銜 鐵(3)上端設(shè)有軸向盲孔(9)，銜鐵(3)下端設(shè)有與軸向盲孔(9)相連通的 側(cè)向孔(10)，閥座(2)上設(shè)有軸向通孔(11)。 【當(dāng)前權(quán)利人】北京愛尼機(jī)電有限公司 【當(dāng)前專利權(quán)人地址】北京市順義區(qū)金馬工業(yè)區(qū)A區(qū) 【專利權(quán)人類型】有限責(zé)任公司(自然人投資或控股) 【統(tǒng)一社會信用代碼】91110113700165017R 【被引證次數(shù)】9 【被他引次數(shù)】9.0 【家族被引證次數(shù)】9
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