【摘要】一種用于石油測井儀器中高溫高壓條件下的信號傳輸的多芯承壓盤，包括插針(1)、承壓盤底座(2)、絕緣體(3)、承壓盤定位鍵座(4)，插針(1)插入承壓盤底座(2)上的插孔中，承壓盤底座(2)與承壓盤定位鍵座(4)連接，絕緣體(3)包裹
【摘要】 一種GaAs基單模面發射量子級聯激光器結構，包括：一襯底，及在襯底上依次生長的背歐姆接觸電極、下覆蓋層、下波導層、有源層、上波導層、上覆蓋層、隔離層，該隔離層淀積在上覆蓋層上及下波導層的兩側的上面和有源層、上波導層、上覆蓋層的側面，該隔離層的中間縱向開有一電流注入窗口；一上歐姆接觸電極，該上歐姆接觸電極淀積在隔離層上并覆蓋電流注入窗口除去中間寬W的裸露光柵區；一表面二級分布反饋光柵，該二級分布反饋光柵制作在上覆蓋層上，深度接近上覆蓋層；一電極引線，該電極引線制作在表面二級分布反饋光柵兩側臺階上的上歐姆接觸電極上。 【專利類型】發明申請 【申請人】中國科學院半導體研究所 【申請人類型】科研單位 【申請人地址】100083北京市海淀區清華東路甲35號 【申請人地區】中國 【申請人城市】北京市 【申請人區縣】海淀區 【申請號】CN200610003179.1 【申請日】2006-02-22 【申請年份】2006 【公開公告號】CN101026287A 【公開公告日】2007-08-29 【公開公告年份】2007 【IPC分類號】H01S5/20; H01S5/187; H01S5/343; H01S5/00 【發明人】劉俊岐; 劉峰奇; 李路; 邵燁; 郭瑜; 梁平; 胡穎; 孫虹 【主權項內容】1、一種GaAs基單模面發射量子級聯激光器結構，其特 征在于，該結構包括： 一襯底，該襯底為高n型摻雜襯底； 一背歐姆接觸電極，該背歐姆接觸電極熱蒸發在已減薄的 襯底的背面； 一下覆蓋層，該下覆蓋層利用分子束外延生長在襯底的正 面； 一下覆蓋層，該下覆蓋層利用分子束外延生長在下覆蓋 層上； 一下波導層，該下覆蓋層利用分子束外延生長在下覆蓋 層上，該下覆蓋層的中間部分高于兩側部分； 一有源層，該有源層利用分子束外延生長在下波導層上的 中間部位； 一上波導層，該上波導層利用分子束外延生長在有源層 上； 一上覆蓋層，該上覆蓋層利用分子束外延生長在上波導層 上； 一隔離層，該隔離層淀積在上覆蓋層上及下波導層的兩側 的上面和有源層、上波導層、上覆蓋層的側面，該隔離層的中 間縱向開有一電流注入窗口； 一上歐姆接觸電極，該上歐姆接觸電極淀積在隔離層上 并覆蓋電流注入窗口除去中間寬W的裸露光柵區； 一表面二級分布反饋光柵，該二級分布反饋光柵制作在 上覆蓋層上，深度接近上覆蓋層； 一電極引線，該電極引線制作在表面二級分布反饋光柵 兩側臺階上的上歐姆接觸電極上。 【當前權利人】中國科學院半導體研究所 【當前專利權人地址】北京市海淀區清華東路甲35號 【統一社會信用代碼】12100000400012385U 【被引證次數】15 【被自引次數】3.0 【被他引次數】12.0 【家族被引證次數】15
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